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公开(公告)号：CN118507336A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410590286.7
申请日：2024-05-13
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/67 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种晶圆离子注入方法及注入系统，方法包括：S1、通过晶圆水平/竖直中心线将晶圆四等分，依次为第一至第四象限，预设各象限的注入百分比；S2、根据各象限的注入百分比，生成两种水平扫描波形，第一种水平扫描波形/第二种水平扫描波形用于扫描晶圆水平中心线以上/以下部分；第二段/第三段扫描电压分别用于扫描晶圆竖直中心线左侧/右侧区域；各段扫描电压的斜率与象限的注入百分比相对应；S3、将晶圆在垂直方向上进行匀速运动，采用相对应的水平扫描波形对晶圆进行离子注入。本发明可在同一片晶圆上注入四种不同剂量、操作简便、精确度高、提高流片效率和成功率。
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公开(公告)号：CN117936343A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311838431.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种浪涌电流泄放装置、离子注入机注入系统及其应用方法，装置包括固定座、绝缘管、绝缘板和高压电阻单元；所述绝缘管的一端固定于所述固定座上，所述绝缘管的中部设有腔体且两端开口，所述绝缘板安装于绝缘管的内部且一端紧固在固定座上；所述高压电阻单元包括高压电阻和安装组件，所述高压电阻通过安装组件安装于所述绝缘板上，所述高压电阻的一端通过第一电连接单元与高压电源相连；所述高压电阻的另一端通过第二电连接单元与离子产生单元相连。本发明结构简单可靠、使得工作回路可靠性更高，降低了机台维护成本，提高了机台Up time。
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公开(公告)号：CN116053105A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211686072.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机用束流监测及响应系统，其包括：电源使能模块，用来控制电源是否激活使用；电压设定及反馈模块，用来对电源电压设值，接收电源电压的反馈值；电流反馈模块，用来接收电源电流反馈值；电流幅值超限判定模块，用来对比电源电流反馈值和预先设置的电流阈值，根据对比结果发出信号；电流幅值超限时长判定模块，用来对比电流幅值超限时长和预先设置的时长阈值，根据对比结果发出信号；Glitch状态输出模块，用来根据电流幅值超限判定模块和电流幅值超限时长的结果判定束流是否输出Glitch信号。本发明具有结构简单、智能化程度高、判定准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN119958223A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411954500.9
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: F25D31/00 , H01L21/67 , H01L21/677 , F25D23/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆预冷装置，包括：真空腔室、冷却组件、升降组件和靶送气组件，所述真空腔室用于提供晶圆预冷所需的真空环境，所述冷却组件密封贯穿在真空腔室内，以用于承载待冷却的晶圆，且冷却组件与外部冷源连接，以实现晶圆预冷却；所述靶送气组件用于输送惰性气体至真空腔室内；所述升降组件密封贯穿在真空腔室内，以用于带动晶圆在传输机械手与冷却组件之间传送。本发明具有结构紧凑、稳定性高且冷却效果显著等特点，晶圆在传输到靶盘前，通过预冷装置将晶圆冷却到80％的工艺温度，然后传输到靶盘上冷却至工艺温度后掺杂，避免了因晶圆与靶台温差较大，而影响晶圆的离子注入效率和品质。
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公开(公告)号：CN117954298A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311838434.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机靶盘温度在线监测系统、监测方法及离子注入机，监测系统包括红外测温单元和一个以上的红外窗口，所述红外窗口位于离子注入机靶盘所在的真空腔室壁上，且与靶盘的测温位置相对应；所述红外测温单元位于真空腔室外侧且正对于红外窗口，所述红外窗口在红外测温单元工作波段具有预设透过率。本发明具有测温精度高、实时性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117936419A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311838433.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆光线加热控制方法、介质及系统，方法包括步骤：预先获取晶圆在不同加热功率下的标准加热曲线，并根据不同加热功率下的标准加热曲线，得到对应加热功率下的线性加热段的标准温升速率；其中通过使用光加热的非接触热源对晶圆进行加热；在进行晶圆加热时，获取晶圆的初始温度、目标温度和加热功率；根据晶圆的加热功率得到其标准加热曲线，再根据标准加热曲线得到线性加热段的标准温升速率，再根据标准温升速率、初始温度和目标温度来得到对应的加热时间，来对晶圆进行相应加热时间的加热。本发明具有操作简便、控制精准等优点。
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公开(公告)号：CN119943631A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411905120.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机的束流Glitch恢复方法及系统，方法包括步骤：实时监测束流Glitch；当发生束流Glitch时，立即关断束流，同时记录晶圆注入中断位置，记为第一中断位置，同时晶圆运动到安全位置；监测束流稳定性和均匀性达到指标后，立即启动一次Glitch的反向补打，晶圆进行一次Glitch的反向补打；在进行晶圆一次Glitch反向补打时，晶圆从未注入区域开始补打，当晶圆运动到注入第一中断位置时关断束流，至此，一次Glitch补打注入结束。本发明不仅能够完成一次束流Glitch的补打，还可以实现多次Glitch的补打，为离子注入机产品安全的重要补救方法。
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公开(公告)号：CN119519392A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411502892.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机的具有双向能量控制特性的高压直流电源，包括电压源、电流源和限流单元；所述电流源与限流单元串联后，整体再与电压源并联以对外输出。本发明的具有双向能量控制特性的高压直流电源，能够有效的通过电源内部的限流电阻设计，从而使得电源具有双向电流输出能力，能够实现输出能量和吸收能量的双向功能特性；本发明可以灵活设定电流源电流或电压源电压；电流源可以根据需要外部受控调节电流；电压源可以根据需要外部受控调节电压。
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公开(公告)号：CN119322202A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411271895.2
申请日：2024-09-11
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机线圈电阻率的非接触式测量系统及方法，系统包括控制单元、磁场检测单元和感应线圈单元；所述控制单元分别与所述磁场检测单元、感应线圈单元和待测线圈相连；所述磁场检测单元用于检测待测线圈产生的磁场信号，并发送至控制单元；所述感应线圈单元用于产生与待测线圈相对应的感应电动势，并发送至控制单元；所述控制单元用于接收磁场检测单元的磁场信号和感应线圈单元的感应电动势以计算得到线圈电阻率。本发明具有测量精准等优点。
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公开(公告)号：CN118884289A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410803494.0
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机的高压电源间隙放电测试装置，包括间隙放电组件、间隙控制驱动机构、放电控制器和待测高压电源；所述间隙放电组件包括高压电位引出电极和地电位引出电极，所述高压电位引出电极与所述地电位引出电极之间平行布置，所述高压电位引出电极与待测高压电源相连；所述放电控制器与所述间隙控制驱动机构相连，用于控制所述间隙控制驱动机构来调整高压电位引出电极与所述地电位引出电极之间的放电间隙距离；所述放电控制器与待测高压电源相连，用于控制所述待测高压电源输出目标电压并检测高压电源的状态信息。本发明具有结构简单、操作简便等优点。
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