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公开(公告)号：CN101724819A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243034.2
申请日：2009-12-22
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明属于反应溅射技术领域，特别涉及一种制备Er2O3涂层的方法。将石英基底放置在加热器上，安装靶材，调节靶基距；抽真空至真空度不大于3.0×10-3Pa，将基底加热至700～800℃；通入氩气和水蒸气，将气压调至0.1～0.8Pa，其中水分压为0.04～0.08Pa，开溅射，将溅射功率增加至80～100W，辉光稳定后，移开挡板，开始沉积；沉积20～40分钟后，关挡板，关溅射，断开氩气和水蒸气，切断加热电源，关真空系统，得Er2O3涂层。本发明反应溅射提高了溅射效率，水蒸气作为反应气体，同时防止了靶材表面的氧化，提高了沉积速率的可控性。本发明是一种沉积速率既快又可控的Er2O3涂层制备方法。
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公开(公告)号：CN100580134C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610089046.0
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构二氧化铈膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa；将衬底加热至600-750℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa；以金属Ce为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-6.5×10-3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得二氧化铈膜。所制得的二氧化铈隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN100557070C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610089045.6
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种电子束蒸发在移动基片上制备立方织构Y2O3薄膜的方法。将单晶基片、Ni或Ni合金基片粘贴或焊接在可以移动的不锈钢基带上，然后抽腔体真空至小于3×10-4Pa，随后将加热器温度升至500℃～700℃，通入O2或水气，将腔体气压调至4～7×10-3Pa，开电子枪电源，使电子束轰击坩埚内纯钇金属表面，调整好工艺参数，同时待气压、束流、膜料蒸发速率及基带移动速率稳定后，移开样品挡板，开始沉积Y2O3薄膜。最后得到具有强立方织构的Y2O3薄膜，该薄膜平整致密。
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公开(公告)号：CN101117702A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089044.1
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa。将衬底加热至500－820℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa。以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－8×10－3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。所制得的氧化钇隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN1920091A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510093034.0
申请日：2005-08-25
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成，所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜室，所述真空镀膜室内布控有电子枪、热蒸发电极和磁控溅射靶，还配有基带卷绕系统，该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架台，真空镀膜室及基带卷绕系统固定在其上，泵抽系统安置在其内；机架台两侧有用于活性固定放带、收带室的小支架台。真空室内装有样品、电子枪、热蒸发舟和磁控溅射靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有挡板。
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公开(公告)号：CN101762340B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810246545.5
申请日：2008-12-25
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： G01K7/02
摘要： 本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域；选择一种金属，制备标准试样；将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，加热，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却；设定升温速率，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数T0；将标准试样放置在其他待测区域内，设定升温速率，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。本发明将测温区域划分成若干小区域，然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性，分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法，提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。
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公开(公告)号：CN100557073C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610089047.5
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa。将衬底加热至600-850℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa。以Zr-Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-3.5×10-2Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN100497727C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510093034.0
申请日：2005-08-25
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成，所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜室，所述真空镀膜室内布控有电子枪、热蒸发电极和磁控溅射靶，还配有基带卷绕系统，该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架台，真空镀膜室及基带卷绕系统固定在其上，泵抽系统安置在其内；机架台两侧有用于活性固定放带、收带室的小支架台。真空室内装有样品、电子枪、热蒸发舟和磁控溅射靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有挡板。
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公开(公告)号：CN1766177A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200410083618.5
申请日：2004-10-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C25F3/22
摘要： 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95－105∶0.1－0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85％；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料，浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压，0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。
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公开(公告)号：CN102534471A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010588275.3
申请日：2010-12-07
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种后硒化处理法制备FeSe超导薄膜的方法，该方法采用反应溅射沉积FeS薄膜，包括基片的表面处理；采用反应溅射薄膜沉积技术在基片上溅射、沉积FeS薄膜；将FeS薄膜与无定形单质硒同置于石英管中，真空密封；密封后的石英管放于加热炉中升温使之发生硒化反应，得到FeSe薄膜。利用本发明可以显著减小硒化处理后产生的应力，减少因过大的畸变能产生的杂相、气孔和裂纹，更体现薄膜优异的超导性能。并且这种反应溅射与改进的细化处理相结合的制备方法与常用的脉冲激光沉积法相比，在成本控制上有着很大优势，并且不受尺寸限制。
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