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公开(公告)号：CN102556984B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010588344.0
申请日：2010-12-07
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明涉及一种新型有机合成FeSe超导体前驱粉末的方法，包括以下步骤：(1)按照Fe∶Se＝1∶1的摩尔比例把FeCl2粉末和硒粉混合，室温置于高压釜(高压反应釜)内；(2)将乙二胺和乙二醇按照1∶1～1∶3体积比依次加入上述高压釜中，搅拌后将高压釜盖合；(3)将上述高压釜加热至120℃～200℃并保持1～8小时；(4)将上述高压釜中所得沉积物FeSe2粉末清洗过滤5～8次并烘干；(5)将上述粉末置于开放式真空系统中，进行真空热处理，得到FeSe高纯粉末。FeSe高纯粉末为四方相结构。本发明方法效率高、成本低且减少了杂相，适合于批量合成FeSe超导前驱粉末。
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公开(公告)号：CN102560404B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010621308.X
申请日：2010-12-24
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了属于真空电子和薄膜制备领域的一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法。该方法首先采用离子注入的方法对W或Mo表面进行改性，然后通过射频磁控溅射在改性后W或Mo表面由内到外依次涂覆Ti过渡层和Au低电阻涂层。本发明采用离子注入的方法处理W或Mo表面，提高Ti与W或Mo的界面浸润性，简化了行波管用螺旋线复合低电阻涂层的制备工艺，缩短了工艺周期，降低了工艺成本，提高了工艺的可控性。
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公开(公告)号：CN102534471B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010588275.3
申请日：2010-12-07
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种后硒化处理法制备FeSe超导薄膜的方法，该方法采用反应溅射沉积FeS薄膜，包括基片的表面处理；采用反应溅射薄膜沉积技术在基片上溅射、沉积FeS薄膜；将FeS薄膜与无定形单质硒同置于石英管中，真空密封；密封后的石英管放于加热炉中升温使之发生硒化反应，得到FeSe薄膜。利用本发明可以显著减小硒化处理后产生的应力，减少因过大的畸变能产生的杂相、气孔和裂纹，更体现薄膜优异的超导性能。并且这种反应溅射与改进的细化处理相结合的制备方法与常用的脉冲激光沉积法相比，在成本控制上有着很大优势，并且不受尺寸限制。
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公开(公告)号：CN102560404A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010621308.X
申请日：2010-12-24
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了属于真空电子和薄膜制备领域的一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法。该方法首先采用离子注入的方法对W或Mo表面进行改性，然后通过射频磁控溅射在改性后W或Mo表面由内到外依次涂覆Ti过渡层和Au低电阻涂层。本发明采用离子注入的方法处理W或Mo表面，提高Ti与W或Mo的界面浸润性，简化了行波管用螺旋线复合低电阻涂层的制备工艺，缩短了工艺周期，降低了工艺成本，提高了工艺的可控性。
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公开(公告)号：CN101762340A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810246545.5
申请日：2008-12-25
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： G01K7/02
摘要： 本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域；选择一种金属，制备标准试样；将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，加热，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却；设定升温速率，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数T0；将标准试样放置在其他待测区域内，设定升温速率，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。本发明将测温区域划分成若干小区域，然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性，分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法，提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。
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公开(公告)号：CN100422392C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410083618.5
申请日：2004-10-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C25F3/22
摘要： 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95-105∶0.1-0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85%；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料，浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压，0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。
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公开(公告)号：CN101117703A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089046.0
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构二氧化铈膜层的方法，包括：(1)、将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)、清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa；将衬底加热至600－750℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa；以金属Ce为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)、预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－6.5×10－3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得二氧化铈膜。所制得的二氧化铈隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN103187221A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110453776.5
申请日：2011-12-30
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01J23/26
摘要： 一种大功率行波管用低微波损耗表面复合涂层。其结构为：螺旋线/纳米至几十厚度的过渡层(如Ni)/高电导率金属层(如Au)。该涂层采用与基体和高电导率涂层间能够形成牢固结合的过渡层，并形成一种多层梯度结构，从而实现低成本、高可靠、高性能的涂层制备，有效降低螺旋线的高频发热。其制造方法为：在螺旋线基体上采用物理或化学方法制备1-100nm的金属Ni，并在金属Ni上制备微米级的Au涂层；制备后的涂层在800-950℃进行真空退火，从而形成稳定的复合涂层结构。
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公开(公告)号：CN102556984A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010588344.0
申请日：2010-12-07
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明涉及一种新型有机合成FeSe超导体前驱粉末的方法，包括以下步骤：(1)按照Fe∶Se＝1∶1的摩尔比例把FeCl2粉末和硒粉混合，室温置于高压釜(高压反应釜)内；(2)将乙二胺和乙二醇按照1∶1～1∶3体积比依次加入上述高压釜中，搅拌后将高压釜盖合；(3)将上述高压釜加热至120℃～200℃并保持1～8小时；(4)将上述高压釜中所得沉积物FeSe2粉末清洗过滤5～8次并烘干；(5)将上述粉末置于开放式真空系统中，进行真空热处理，得到FeSe高纯粉末。FeSe高纯粉末为四方相结构。本发明方法效率高、成本低且减少了杂相，适合于批量合成FeSe超导前驱粉末。
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公开(公告)号：CN101752431A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910243035.7
申请日：2009-12-22
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池隔离层及其制备方法。在不锈钢箔基底上以水蒸气作为反应气体，采用反应溅射法制备Er2O3隔离层：安装靶材，调节靶基距；抽真空至真空度不大于3.0×10-3pa，将基底加热至600～700℃；通入氩气和水蒸气，将气压调至0.1～0.8Pa，其中水分压为0.01～0.04Pa，将溅射功率增加至80～100W，辉光稳定后，沉积20～40分钟，得Er2O3隔离层。反应溅射提高了溅射效率，水蒸气作为反应气体，同时防止了靶材表面和不锈钢箔的氧化，提高了沉积速率的可控性，可满足工业化制备要求，制备的Er2O3隔离层结晶较好。
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