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公开(公告)号：CN101295560B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200710098620.3
申请日：2007-04-23
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： Y02E40/642
摘要： 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr-Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈；(9)磁控溅射沉积YBCO涂层；(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法，降低成本。
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公开(公告)号：CN100422392C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410083618.5
申请日：2004-10-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C25F3/22
摘要： 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95-105∶0.1-0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85%；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料，浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压，0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。
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公开(公告)号：CN101117703A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089046.0
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构二氧化铈膜层的方法，包括：(1)、将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)、清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa；将衬底加热至600－750℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa；以金属Ce为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)、预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－6.5×10－3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得二氧化铈膜。所制得的二氧化铈隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN100557073C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610089047.5
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa。将衬底加热至600-850℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa。以Zr-Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-3.5×10-2Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN100497727C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510093034.0
申请日：2005-08-25
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成，所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜室，所述真空镀膜室内布控有电子枪、热蒸发电极和磁控溅射靶，还配有基带卷绕系统，该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架台，真空镀膜室及基带卷绕系统固定在其上，泵抽系统安置在其内；机架台两侧有用于活性固定放带、收带室的小支架台。真空室内装有样品、电子枪、热蒸发舟和磁控溅射靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有挡板。
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公开(公告)号：CN101295560A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098620.3
申请日：2007-04-23
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： Y02E40/642
摘要： 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr－Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈；(9)磁控溅射沉积YBCO涂层；(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法，降低成本。
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公开(公告)号：CN100365839C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200310121357.7
申请日：2003-12-15
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L39/24
摘要： 一种多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法。隔离层结构包括种子层，阻挡层和帽子层。它主要为在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层，再在其上生长钇稳定二氧化锆(YSZ)阻挡层和二氧化铈CeO2帽子层。这种双轴取向隔离层结构用于高温超导涂层导体，可使YBCO涂层沿双轴取向生长，具有良好的超导电性，获得超导临界电流密度Jc＞4×105A/cm2。该方法包括：将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理；在高温炉中恒温、氧化；采用真空沉积方法进行二氧化锆生长、CeO2生长、YBCO生长；进行YBCO退火而制成。该方法成本低，适宜大规模长带生产，制备手段易连续化。
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公开(公告)号：CN1309661C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200310101681.2
申请日：2003-10-24
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段，在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理，将其置于1100-1250℃高温炉中，空气环境氧化3-30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。
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公开(公告)号：CN1766177A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200410083618.5
申请日：2004-10-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C25F3/22
摘要： 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括：(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95－105∶0.1－0.5，配制电化学抛光液，其中，磷酸的浓度为85％；(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液，以涂层超导体镍基带作为阳极材料，不锈钢作为阴极材料，浸没在电化学抛光液中，接通电源，在5～10V电压，0.3～1A电流中进行抛光，时间控制在10～60分钟；(3)抛光后，将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米，能够满足涂层超导体制备的要求。
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公开(公告)号：CN101736313B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810227328.1
申请日：2008-11-26
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。
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