发明公开
- 专利标题: 一种后硒化处理制备FeSe超导薄膜的方法
- 专利标题(英): Method for preparing FeSe superconducting thin film by post-selenization treatment
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申请号: CN201010588275.3申请日: 2010-12-07
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公开(公告)号: CN102534471A公开(公告)日: 2012-07-04
- 发明人: 柴青林 , 华志强 , 王磊 , 屈飞 , 李弢
- 申请人: 北京有色金属研究总院
- 申请人地址: 北京市西城区新街口外大街2号
- 专利权人: 北京有色金属研究总院
- 当前专利权人: 有研工程技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市西城区新街口外大街2号
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 耿小强
- 主分类号: C23C14/00
- IPC分类号: C23C14/00 ; C23C14/06 ; C23C14/58
摘要:
本发明涉及一种后硒化处理法制备FeSe超导薄膜的方法,该方法采用反应溅射沉积FeS薄膜,包括基片的表面处理;采用反应溅射薄膜沉积技术在基片上溅射、沉积FeS薄膜;将FeS薄膜与无定形单质硒同置于石英管中,真空密封;密封后的石英管放于加热炉中升温使之发生硒化反应,得到FeSe薄膜。利用本发明可以显著减小硒化处理后产生的应力,减少因过大的畸变能产生的杂相、气孔和裂纹,更体现薄膜优异的超导性能。并且这种反应溅射与改进的细化处理相结合的制备方法与常用的脉冲激光沉积法相比,在成本控制上有着很大优势,并且不受尺寸限制。
公开/授权文献
- CN102534471B 一种后硒化处理制备FeSe超导薄膜的方法 公开/授权日:2013-06-19
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