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公开(公告)号：CN101736313A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227328.1
申请日：2008-11-26
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积在锗基片上制备类金刚石膜的方法，包括以下步骤：(1)将锗基片放置在腔体阴极板上；(2)抽腔体真空，随后通入CH4气体，调整腔体气压，平衡3-5分钟；(3)射频电源起辉，调节功率；(4)调整工作气压30～45Pa，CH4气体流量在20～30sccm，调节匹配电容使得反射功率达到最小；(5)沉积14～18分钟后，关闭射频电源；(6)冷却10分钟以后，取出锗(Ge)基片，清理腔体；(7)再次放入锗(Ge)基片，抽腔体真空，射频电源起辉，轰击样品70～90s后，关闭射频电源，继续抽高真空；(8)重复进行二次沉积。该方法沉积速度快、沉积面积大、工艺相对简便。该方法得到的类金刚石膜，对锗(Ge)基片具有良好的增透和保护作用。
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公开(公告)号：CN100580134C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610089046.0
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构二氧化铈膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa；将衬底加热至600-750℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa；以金属Ce为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-6.5×10-3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得二氧化铈膜。所制得的二氧化铈隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN100557070C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610089045.6
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种电子束蒸发在移动基片上制备立方织构Y2O3薄膜的方法。将单晶基片、Ni或Ni合金基片粘贴或焊接在可以移动的不锈钢基带上，然后抽腔体真空至小于3×10-4Pa，随后将加热器温度升至500℃～700℃，通入O2或水气，将腔体气压调至4～7×10-3Pa，开电子枪电源，使电子束轰击坩埚内纯钇金属表面，调整好工艺参数，同时待气压、束流、膜料蒸发速率及基带移动速率稳定后，移开样品挡板，开始沉积Y2O3薄膜。最后得到具有强立方织构的Y2O3薄膜，该薄膜平整致密。
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公开(公告)号：CN100497722C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610072920.X
申请日：2006-04-03
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种在立方织构金属基底上制备CeO2缓冲层的方法，包括以下步骤：(1)将具有立方织构的Ni或Ni合金金属带材基底清洗干净，干燥；(2)在温度为500℃～780℃、Ar/H2混合气体中，以金属Ce作为靶材，对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射预沉积5～30分钟，其中，Ar/H2的体积比是50/10～80/10，气压为5～80Pa；(3)然后在温度为500℃～780℃、Ar/O2混合气体中，以金属Ce作为靶材，再对Ni或Ni合金基底进行反应溅射，溅射沉积25～150分钟，其中，Ar/O2的体积比是50/2～80/1，气压为5～80Pa，即得到了CeO2缓冲层。该两步沉积的方法不仅有效抑制了NiO的生成，也保证了CeO2取向的完整性。
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公开(公告)号：CN101117702A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089044.1
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa。将衬底加热至500－820℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa。以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－8×10－3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。所制得的氧化钇隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN1920091A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510093034.0
申请日：2005-08-25
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成，所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜室，所述真空镀膜室内布控有电子枪、热蒸发电极和磁控溅射靶，还配有基带卷绕系统，该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架台，真空镀膜室及基带卷绕系统固定在其上，泵抽系统安置在其内；机架台两侧有用于活性固定放带、收带室的小支架台。真空室内装有样品、电子枪、热蒸发舟和磁控溅射靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有挡板。
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公开(公告)号：CN1609006A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200310101681.2
申请日：2003-10-24
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段，在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理，将其置于1100－1250℃高温炉中，空气环境氧化3－30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。
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公开(公告)号：CN1494168A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN02145972.X
申请日：2002-10-28
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种本发明采用以无机盐为前驱物的溶胶。凝胶法制备YBCO涂层导体用CeO2隔离层。以Ce(NO3)3·6H2O和(NH2)2CO作为起始原料配成水溶液，利用水浴加热使其水解形成溶胶，把该溶胶涂覆在金属基底上，在干燥脱水后进行1000－1200℃高温热处理，恒温10－60分钟，随炉冷却，制得YBCO涂层导体用CeO2隔离层，膜层均匀、致密、平整，且具有一定织构。
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公开(公告)号：CN100537822C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610089048.X
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种金属基带上连续生长的多层立方织构氧化物隔离层，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜。一种连续生长多层立方织构氧化物隔离层的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr-Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，满足外延生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN101117704A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089047.5
申请日：2006-07-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10－4Pa。将衬底加热至600－850℃，再充氩气至腔体气压1×10－1Pa－8×10－1Pa。以Zr－Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10－3－3.5×10－2Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa－5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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