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公开(公告)号：CN119922964A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374466.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种集成功率半导体器件和电子设备，该集成功率半导体器件包括：第一功率半导体芯片，第一功率半导体芯片包括第一晶闸管；导电层，位于第一功率半导体芯片的一侧，导电层作为第一功率半导体芯片的阴极；第二功率半导体芯片，位于导电层的远离第一功率半导体芯片的一侧，第一功率半导体芯片与第二功率半导体芯片通过导电层串联。本申请解决了现有功率半导体器件封装中，阴极电极主要起到导电作用，其空间利用率不高导致功率半导体器件的性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN119881435A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374476.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种电流检测线圈参数的确定方法与导体电流分布的检测方法，该方法包括：至少根据被测导体的尺寸预设虚拟检测参数，其中，虚拟检测参数至少包括虚拟模型参数和虚拟线圈的性能参数；基于法拉第电磁感应定律根据虚拟检测参数，确定电流检测线圈的真实性能参数，电流检测线圈的真实性能参数用于制备电流检测线圈，电流检测线圈用于检测被测导体的电流分布。采用该方法得到的性能参数制备得到的电流检测线圈对检测区域电流具有高灵敏度，且对非检测区域电流具有高屏蔽能力，实现了对局部电流有高识别能力的非侵入式检测。且该方法可根据不同的使用场景，定制化设计线圈所需性能，具有广泛的使用范围。
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公开(公告)号：CN118522751B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410594927.6
申请日：2024-05-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括至少一个门极换流晶闸管单元，门极换流晶闸管单元包括第一导电类型基区，第一导电类型基区包括掺杂浓度不同的第一子基区、第二子基区和第三子基区，第一子基区和第二子基区独立设置、通过第三子基区隔开；门极换流晶闸管单元还包括第二导电类型发射区、阴极电极和门极电极，第二导电类型发射区设置在第一子基区上，第一子基区覆盖第二导电类型发射区的侧面和底面，阴极电极设置在第二导电类型发射区上，门极电极设置在第二子基区上，提高了门极换流晶闸管单元的关断电流，提高了换流时门极换流晶闸管单元抗触发的能力。
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公开(公告)号：CN118198117B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410175143.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。
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公开(公告)号：CN119561396B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510125484.0
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种换流阀组及直流输电系统。所述换流阀组包括换流阀串和冷却回路。换流阀串包括沿第一方向依序串联的多级换流阀单元。换流阀单元包括换流阀模块和阻尼回路。换流阀模块包括换流阀以及设置于换流阀旁侧的散热器。阻尼回路与换流阀并联，包括沿远离换流阀的第二方向排列并串联连接的水冷式阻尼电阻和阻尼电容。第二方向与第一方向相交。冷却回路包括：沿第一方向延伸的主冷却通道，连通主冷却通道和水冷式阻尼电阻的第一冷却回路，以及连通主冷却通道和散热器的第二冷却回路。本公开能够减小散热器尺寸，降低换流阀串的重量，并提升换流阀组的可靠性，从而有利于提升换流阀组的结构稳定性及其绝缘特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118522706B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D18/01 , H10D64/60
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119725275A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410739830.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件封装结构、方法、功率器件及电子装置，涉及半导体制造的技术领域，封装结构包括晶圆、阴极电极、阳极电极、阴极管壳电极以及管壳；所述阴极电极以及所述阳极电极分别位于所述晶圆相对的两侧；其中，所述阳极电极的其中一个表面与所述晶圆的第一主面直接接触，另一表面暴露于所述封装结构的外侧；所述阴极电极的其中一个表面与所述晶圆的第二表面直接接触，另一表面通过弹性结构连接于所述阴极管壳电极。通过本申请可以阳极侧热阻优化效果，提升器件的流通能力。
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公开(公告)号：CN119561396A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510125484.0
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种换流阀组及直流输电系统。所述换流阀组包括换流阀串和冷却回路。换流阀串包括沿第一方向依序串联的多级换流阀单元。换流阀单元包括换流阀模块和阻尼回路。换流阀模块包括换流阀以及设置于换流阀旁侧的散热器。阻尼回路与换流阀并联，包括沿远离换流阀的第二方向排列并串联连接的水冷式阻尼电阻和阻尼电容。第二方向与第一方向相交。冷却回路包括：沿第一方向延伸的主冷却通道，连通主冷却通道和水冷式阻尼电阻的第一冷却回路，以及连通主冷却通道和散热器的第二冷却回路。本公开能够减小散热器尺寸，降低换流阀串的重量，并提升换流阀组的可靠性，从而有利于提升换流阀组的结构稳定性及其绝缘特性。
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公开(公告)号：CN118676086A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410740015.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/427 , H01L21/60
Abstract: 一种用于功率半导体器件的电极、其制造方法及功率半导体器件。电极包括电极主体和盖板；电极主体设有间隔开的多个盲孔，盲孔的开口端位于电极主体的上表面，每个盲孔内设有一个毛细微管，并且盲孔内容纳有冷却介质；盖板设置在电极主体的上表面上，以密封地覆盖盲孔。通过用于功率半导体器件的电极、其制造方法及功率半导体器件，实现提高器件电极的传热效率，降低器件结壳热阻，使得器件工作时芯片结温更低，提升器件额定通流能力的目的。
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公开(公告)号：CN118425721A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410773030.X
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及IGCT动态性能测试电路及装置，通过IGCT测试主回路可为待测的IGCT器件施加测试电信号；各辅助电路分别通过对应的开关器件连接IGCT测试主回路，在任意一个辅助电路与IGCT测试主回路之间的开关器件导通，其它辅助电路与IGCT测试主回路之间的开关器件断开的情况下，导通开关器件对应的辅助电路用于辅助IGCT测试主回路对待测的IGCT器件进行动态性能测试。并且，不同辅助电路辅助实现的动态性能测试类型配置为互不相同。如此可在同一个IGCT动态性能测试电路中，实现待测的IGCT器件的两种或两种以上的动态性能测，减少动态性能测试时IGCT器件的压装次数，简化测试流程，进而可以有效降低IGCT器件失效的风险。
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