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公开(公告)号：CN118425721A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410773030.X
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及IGCT动态性能测试电路及装置，通过IGCT测试主回路可为待测的IGCT器件施加测试电信号；各辅助电路分别通过对应的开关器件连接IGCT测试主回路，在任意一个辅助电路与IGCT测试主回路之间的开关器件导通，其它辅助电路与IGCT测试主回路之间的开关器件断开的情况下，导通开关器件对应的辅助电路用于辅助IGCT测试主回路对待测的IGCT器件进行动态性能测试。并且，不同辅助电路辅助实现的动态性能测试类型配置为互不相同。如此可在同一个IGCT动态性能测试电路中，实现待测的IGCT器件的两种或两种以上的动态性能测，减少动态性能测试时IGCT器件的压装次数，简化测试流程，进而可以有效降低IGCT器件失效的风险。
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公开(公告)号：CN119584622B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510122678.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D64/23 , H01L23/473 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D8/00 , H10D8/01 , H10D18/01
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备。所述半导体封装结构包括晶圆、第一压接组件和第二压接组件。第一压接组件包括位于晶圆第一侧且用于刚性压接晶圆的第一侧表面的阴极。第二压接组件包括位于晶圆第二侧且用于刚性压接晶圆的第二侧表面的阳极。其中，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对。晶圆第一侧的热阻为第一热阻，晶圆第二侧的热阻为第二热阻；第一热阻和第二热阻的串联热阻与第一热阻和第二热阻的并联热阻的比值大于等于4.3。本公开有利于降低器件结壳热阻，以进一步提升器件散热效率及器件通流能力。
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公开(公告)号：CN119765883A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411694949.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种电流源换流阀及电流源换流器，在电流源换流阀的交流出口端分别连接有交流滤波电容和换流变压器，换流变压器的第二端接入交流电网，如此，可在电力传输过程中进行交直流转换。并且，该方案还在交流滤波电容处接入电容保护模块，通过电容保护模块，可在电流源换流阀发生交流侧故障的情况下，对交流滤波电容进行过压保护，和/或在交流侧故障恢复的情况下，对交流滤波电容进行振荡抑制。如此，可确保电流源换流阀发生交流侧故障时，交流滤波电容不会过压，和/或，确保交流侧故障恢复时，交流滤波电容迅速回归稳态，进而大大降低电流源换流阀中滤波电容的运行风险。
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公开(公告)号：CN119575143A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510122662.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构的热阻测试方法及其装置。该热阻测试方法包括：向芯片通入测量电流，获取芯片两侧的初始电压降，以及封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及芯片两侧的目标电压降；基于初始电压降、正面初始壳温、背面初始壳温、目标电压降、正面目标壳温及背面目标壳温确定半导体封装结构的串并联比例系数。该热阻测试方法还包括：获取流过芯片的目标热流；基于正面目标壳温、背面目标壳温和目标热流确定半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定半导体封装结构的并联热阻。
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公开(公告)号：CN118677414A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410768328.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 一种功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用。其中，功率半导体器件的驱动保护电路包括开通模块、第一关断模块、保护模块，所述开通模块、所述第一关断模块和所述保护模块并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，其中，所述保护模块用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下保护所述功率半导体器件。本发明的功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用，通过增加保护模块，使得在功率半导体器件未与驱动连接或功率半导体器件封装内部阴极接触不可靠等故障工况下，保障器件芯片、封装及驱动本身的运行安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507518A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/74
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN118507518B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D18/80
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN119560385B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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公开(公告)号：CN119892036A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374478.9
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/081 , H02H7/20 , H02H3/20
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的过压保护电路及其控制方法，包括第一关断模块分别与半导体器件的门极和阳极电连接，第一关断模块用于阻止电流从门极流至半导体器件的阴极；过压取能控制模块分别与门极、阳极和第一关断模块电连接，过压取能控制模块用于在半导体器件为过压状态的情况下控制第一关断模块关闭。在检测到半导体器件为过压状态时，过压取能控制模块的阻抗降低，使电流经过过压取能控制模块所在支路从半导体器件的阳极导通至门极，过压取能控制模块控制第一关断模块关闭，使电流从门极进入导通至阴极，完成对半导体器件的过压保护。通过采用过压取能控制模块代替现有技术中的采样模块，解决了半导体器件的过压保护电路结构复杂的问题。
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公开(公告)号：CN119891708A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374473.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体器件的驱动取能系统及驱动取能方法，系统包括储能单元，用于提供第一电压，限流单元，与储能单元电连接，用于对功率半导体器件模块进行限流，并储存从储能单元释放的能量，稳压单元，与储能单元电连接，用于稳压储能单元，辅助取能单元，分别与限流单元和稳压单元电连接，用于从限流单元中取能并提供第二电压，转换与驱动单元，分别与储能单元和辅助取能单元电连接，用于在获取第一电压的情况下，转换第一电压以驱动功率半导体器件模块中的功率半导体器件，在获取第二电压的情况下，转换第二电压以驱动功率半导体器件，本申请公开的系统降低了驱动的功率需求并为驱动提供备用供电，显著提高了驱动取能的可靠性与稳定性。
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