公开(公告)号：CN104697882B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410521143.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李江江 ,  高志远 ,  邹德恕 ,  程顺波 ,  李慧敏 ,  薛晓玮 ,  王勋

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种基于ZnO纳米线阵列的环境空气PM2.5颗粒物的质量传感器件及其制备方法，它涉及纳米技术与环境监测领域。本发明中，当环境气体流过ZnO纳米线阵列时，PM2.5颗粒附着在纳米线上，通过检测ZnO纳米线振动频率的改变，由ZnO纳米线振动频率和PM2.5颗粒质量之间的定量关系，从而检测PM2.5颗粒的质量。本发明简单有效，适用于日常生活中各种环境空气中PM2.5颗粒质量的检测。

公开(公告)号：CN107527962B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201710668059.1

申请日：2017-08-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  赵立欢 ,  张洁 ,  薛晓玮 ,  邹德恕

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池，涉及半导体技术领域。所述斜向ZnO纳米线为n型；所述GaN层为半极性面(11‑22)的GaN外延层，包括掺Mg的p型GaN层和生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN缓冲层；所述斜向ZnO纳米线阵列与生长平面的夹角为30～35度；所述斜向ZnO纳米线被半导体量子点覆盖并被聚合物所填充，其上一层为导电薄膜，作为上电极，下电极位于GaN层上斜向生长的ZnO纳米线阵列的另一侧的台面。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高感光面积，实现高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN107342351A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710481596.5

申请日：2017-06-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  赵立欢 ,  张洁 ,  薛晓玮 ,  邹德恕

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40

Abstract: 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11-22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。

公开(公告)号：CN107039558A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710281827.8

申请日：2017-04-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  赵立欢 ,  薛晓玮 ,  张洁 ,  邹德恕

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1129 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。