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公开(公告)号：CN1148706A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：CN94113392.3
申请日：1994-12-29
Applicant: 北京工业大学科技开发管理部 , 北京市崇文区国家税务局
IPC: G06F17/60
Abstract: 增值税发票自动录入法及其录入器属于数据录入仪领域，其特征是：采用有0～9个数字键、A～E个双功能键和一个第二功能设置键F的键盘并在单片机控制下录入，其录入器由键盘经接口与其相连的单片机、分别经锁存器与单片机输出口相连且又互连的程序存储器和带掉电保护电路的数据存储器经电平转换后与单片机收、发端相连的PC机接口、由单片机控制的液晶点阵显示模块及电源组成，它可自动、快速而准确地录入企业增值税发票，需要时可传入税务局的计算机。
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公开(公告)号：CN101861034B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010152452.3
申请日：2010-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H05B41/14
Abstract: 具有RC计时单元电子镇流器的保护电路涉及一种荧光灯电子镇流器的保护电路，属于绿色照明领域。包括信号采样单元(1)、RC计时单元(2)、时间长度比较单元(3)、触发单元(4)、异常信号处理电路(5)。异常信号采样单元(1)对灯负载进行采样，将采样信号送入到时间长度比较单元(3)中与RC计时单元(2)所设定的时间长度进行比较，然后通过触发单元(4)来控制异常信号处理电路(5)是否工作。本发明提供的异常保护电路，和已有的功率因数校正电路、振荡电路、半桥逆变电路共同组成的电子镇流器，当灯管过流达到一定程度时，保护电路会输出保护信号送入至异常信号处理单元处理，最终使振荡电路停止工作，进而保护电子镇流器。
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公开(公告)号：CN102510649A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110336129.6
申请日：2011-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H05B41/295
Abstract: 本发明公开了一种基于电子镇流器功率因数校正(Power Factor Correction)电路的自启动电路(Starter Circuit)。该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(4)、下拉单元(5)所组成，该电路仅在电子镇流器刚开始工作或电路出现异常时有效，使PFC电路从上电状态或异常状态转换到正常工作状态。本发明的自启动电路可调节充放电单元中管子尺寸(宽长比W/L)，控制本身电路的输出，进而完成当芯片开始上电时或者芯片工作不正常时，电子整流器不能正常开启开关功率管的缺陷，可以更好的保护电路。
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公开(公告)号：CN100374872C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510112676.0
申请日：2005-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本发明装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关(303)，接到被测器件(401)；二路接采样电阻(501)后接三路开关(303)，再接测试电流源(201)；(201)的一端接接口(200)，一端接电流开关(301)；三路接采样电阻(502)后接三路开关(303)，再接工作电流源(202)；(202)的一端接接口(200)，一端接电流控制开关(301)；(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202)；输出端接参考负载(402)和被测器件(401)，控制端接时序发生器(203)；采集器(204)一端接接口(200)，一端接到高速截取放大器(302)；高速截取放大器(302)接器件(401)。本发明非破坏性，可测瞬态加热响应曲线，从而分辨出器件热阻构成。
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公开(公告)号：CN100367044C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410101249.8
申请日：2004-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6)遮盖住被测器件的光输出端；将黑色吸收材料(7)附着在反光材料的外面；测量其工作时的工作温升ΔT和施加的电功率W，其比值ΔT/W即热阻。发明目的：在进行电学法测量结型半导体发光管或激光器温升之前，使用一种遮盖住输出光的方法，使发光管的输出光反射回器件，被器件或器件覆盖层吸收，这样所施加的功率全部变为热功率，从而避免再测量其输出光功率的步骤，从而大大简化测量步骤提高测量的可适用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1176369C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03123988.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia，检测非导电样品在入射电子辐照下引起的荷电现象；通过调整数据流的收集参数，包括积分时间、步长和信号收集时间，保证采集一帧图像与收集一帧扫描图像的吸收电流基本同步；各扫描点的吸收电流Ia值通过计算机进行实时存储和处理，用以判断非导电样品表面的荷电效应；并根据评价用来优化扫描电镜的工作条件，评价非导电样品表面导电膜的质量。达到减小及消除非导电材料的荷电效应，提高图像质量和分析精度等目的。
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公开(公告)号：CN1036357C
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN94101005.8
申请日：1994-02-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/00
Abstract: 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加负偏压且在设定的不同管芯温度下各V′gsfl与时间的曲线，求出在一定栅极负偏压下的温度系数与时间的关系曲线把冷却曲线经过外推并使用器件多层三维模型求出在任意工作条件下的沟道温度、热阻、峰值沟道温度和峰值热阻。
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公开(公告)号：CN1150243A
公开(公告)日：1997-05-21
申请号：CN95117943.8
申请日：1995-11-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 砷化镓场效应管沟道温度测试装置属于场效应管测试领域。其特征是：它由依次互连的计算机、控制器和时序调整电路、与前者相连的栅极开关电路和输出带有电流、电压放大的漏极开关电路及它们的电源、同时与控制器和漏极相连的隔离放大电路、同时与栅极相连的恒流源和又与控制器相连的隔离放大电路、同时与前者和控制器相连的高速A/D采集板以及与控制器相连的控温器、小键盘构成，它具有测量简便和不破坏被测器件等优点。
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公开(公告)号：CN103728546B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410016013.8
申请日：2014-01-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 晶体管加速寿命试验及工作点稳定的系统，属于测量技术及方法的范畴。包括了放置器件的加热热穴（101），加热平台（102），固定加热平台（102）的主机箱（106）中连接了温度控制器（107），温度显示器（103），电源偏置显示器（104），电源偏置控制器（105），所述的在加热平台（102）上有30个相同形状可放置B3型封装晶体管的加热热穴（101）。本发明能实现同时对30只同型号的晶体管进行加热和工作点稳定的功能。
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公开(公告)号：CN104573266A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510037099.7
申请日：2015-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法，用于IGBT失效分析与可靠性评估。根据封装内部各结构层的尺寸，建立简化的三维IGBT热仿真模型。对该模型各个层赋以相对应的材料热学特性，然后进行网格划分以及设定该模型的边界条件和初始条件。模型通过相应的实验进行合理性验证后，对比分析结果，得到芯片表面峰值温度随空洞体积变化的曲线。根据器件不同的应用条件和环境，可分别进行相应的模型仿真来得到空洞对芯片温度分布的影响。可以利用仿真结果辅助对器件进行可靠性评估等。
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