公开(公告)号：CN100367044C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410101249.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  谢雪松 ,  吕长志 ,  张小玲 ,  杨集 ,  李瑛

IPC: G01R31/26

Abstract: 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6)遮盖住被测器件的光输出端；将黑色吸收材料(7)附着在反光材料的外面；测量其工作时的工作温升ΔT和施加的电功率W，其比值ΔT/W即热阻。发明目的：在进行电学法测量结型半导体发光管或激光器温升之前，使用一种遮盖住输出光的方法，使发光管的输出光反射回器件，被器件或器件覆盖层吸收，这样所施加的功率全部变为热功率，从而避免再测量其输出光功率的步骤，从而大大简化测量步骤提高测量的可适用性。

公开(公告)号：CN1621856A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410101249.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  谢雪松 ,  吕长志 ,  张小玲 ,  杨集 ,  李瑛

IPC: G01R31/26

Abstract: 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6)遮盖住被测器件的光输出端；将黑色吸收材料(7)附着在反光材料的外面；测量其工作时的工作温升ΔT和施加的电功率W，其比值ΔT/W即热阻。发明目的：在进行电学法测量结型半导体发光管或激光器温升之前，使用一种遮盖住输出光的方法，使发光管的输出光反射回器件，被器件或器件覆盖层吸收，这样所施加的功率全部变为热功率，从而避免再测量其输出光功率的步骤，从而大大简化测量步骤提高测量的可适用性。