公开(公告)号：CN1106922A

公开(公告)日：1995-08-16

申请号：CN94101005.8

申请日：1994-02-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吕长志 ,  王明珠 ,  王重 ,  冯士维 ,  丁广钰 ,  李学信

IPC: G01K7/00

Abstract: 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加负偏压且在设定的不同管芯温度下各V′gsf1与时间的曲线，求出在一定栅极负偏压下的温度系数与时间的关系曲线把冷却曲线经过外推并使用器件多层三维模型求出在任意工作条件下的沟道温度、热阻、峰值沟道温度和峰值热阻。

公开(公告)号：CN1138217A

公开(公告)日：1996-12-18

申请号：CN95105950.5

申请日：1995-06-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张炜 ,  李志国 ,  程尧海 ,  李学信 ,  孙英华

IPC: H01L29/43

Abstract: 一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离SiO2绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长度的计算公式。它利用了与电迁徙现象同时共存的回流效应来彻底消除电迁徙现象，以便从根本上解决多层金属化结构的电迁徙失效问题，从而提高了VLSI，ULSI及微波器件的寿命。

公开(公告)号：CN1036357C

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN94101005.8

申请日：1994-02-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吕长志 ,  王明珠 ,  王重 ,  冯士维 ,  丁广钰 ,  李学信

IPC: G01K7/00

Abstract: 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加负偏压且在设定的不同管芯温度下各V′gsfl与时间的曲线，求出在一定栅极负偏压下的温度系数与时间的关系曲线把冷却曲线经过外推并使用器件多层三维模型求出在任意工作条件下的沟道温度、热阻、峰值沟道温度和峰值热阻。