公开(公告)号：CN1138217A

公开(公告)日：1996-12-18

申请号：CN95105950.5

申请日：1995-06-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张炜 ,  李志国 ,  程尧海 ,  李学信 ,  孙英华

IPC: H01L29/43

Abstract: 一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计方法属于VLSI，ULSI及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离SiO2绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Al-1％Si上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长度的计算公式。它利用了与电迁徙现象同时共存的回流效应来彻底消除电迁徙现象，以便从根本上解决多层金属化结构的电迁徙失效问题，从而提高了VLSI，ULSI及微波器件的寿命。

公开(公告)号：CN2331082Y

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98206546.9

申请日：1998-07-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李志国 ,  孙英华 ,  张炜

IPC: H01L21/328 ,  H01L29/70

Abstract: 一种微波晶体管金属化布线加固结构,属于微波晶体管制造技术领域。包含发射区、覆盖于发射区上的欧姆接触层,部分覆盖发射区并在欧姆接触层下部的绝缘层,覆盖于欧姆接触层上的阻挡层和覆盖于阻挡层上的上金属化层,其特征在于:距欧姆接触层引出部分边缘一定距离处有一横断该层的回流间隙,阻挡层通过回流间隙与绝缘层相接触。该结构能有效克服电迁徒现象的发生,提高器件寿命和可靠性。