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公开(公告)号：CN109403264A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811343436.5
申请日：2018-11-13
Abstract: 河渠入河口污水处理设施沉砂池采用人工弯道壅水的方法属于污水治理技术领域。其特征在于：沿水流方向并且水流由窄变宽处修建一个滚石坝，该滚石坝设置在河渠入河口流水的最宽处，且河渠入河口的最宽处过流面和最窄处过流面比值大于等于2；该滚石坝将水流形成弯道，水流进弯道与出弯道过水面宽度一样，过流面宽度按照测量得到的河道水流最高峰小时的流量来计算得到，保证最高峰流量通过时的水面与滚石坝的上缘距离为10cm以上。本发明属于城乡结合部入河口河道泥砂处理方法，涉及一种沉砂池替代工艺，主要通过合理利用有利地形，恰当进行工程布置，使水、沙各行其道，将清水引入进水口，同时清除泥砂。
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公开(公告)号：CN106977195A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710167053.6
申请日：2017-03-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236
Abstract: 一种具有无滞后大电致应变的BNT基三元无铅铁电陶瓷及制备，属于陶瓷技术领域。化学通式为(1‑x‑y)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBaTiO3‑yBiMg0.5Ti0.5O3，0.10≤x≤0.14,0.04≤y≤0.10。该三元无铅铁电陶瓷表现出具有无滞后特性的电致应变，可以满足微位移器件对材料的要求。此时，电致应变S达到0.2％～0.3％，电致伸缩系数Q33达到(2.0～2.8)×10‑2m4/C2的一种无滞后大应变的铁电陶瓷。
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公开(公告)号：CN104674187B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103367474B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN106430314A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610835813.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G45/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
CPC classification number: C01G45/006 , C01P2002/70 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 一种中空球形LiNi0.5Mn1.5O4高电压正极材料的熔盐制备方法，属于锂离子电池正极材料技术领域。步骤如下：将球形MnO2、LiOH·H2O、Ni(NO3)2·6H2O、Li2CO3原料按摩尔比3:2.5:1:5混合，加入无水乙醇搅拌，直至乙醇完全蒸发；将上述混合物手工研磨1小时；然后在600-800℃下煅烧8-24小时，其中升温速度为1-10℃/min，降温速度为0.5-20℃/min；将反应产物研磨得到纯净的中空球形结构LiNi0.5Mn1.5O4正极材料。本发明工艺简单，可重复性高。该材料具有良好的电化学性能，适合用作锂离子电池负极材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103213940B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310084326.2
申请日：2013-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于微纳米尺度使材料具有两种不同浸润性的方法，属于微纳薄膜技术领域。对基体进行清洗，并涂上光刻胶，制备微纳结构，进行真空镀膜，镀膜厚度几十纳米到几微米，镀膜后用丙酮清洗掉光刻胶，然后将其浸泡在全氟三乙氧基甲硅烷酒精溶液中，使得全氟三乙氧基甲硅烷进入原光刻胶的所在微纳结构中，拿出后用酒精清洗；用化学方法去除掉表面镀的镀膜，即在基体上得到微纳尺寸两种不同浸润性的表面。本发明可以通过微纳结构的尺寸和面积比例来调节宏观表面的浸润性。
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公开(公告)号：CN103280490B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310193772.7
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN104091939A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410306562.9
申请日：2014-06-30
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01M4/485 , C01G23/005 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 一种球形Li4Ti5O12水热合成制备方法，属于锂离子电池负极材料技术领域。步骤如下：向在磁搅拌器搅拌作用下的烧杯内依次加入无水乙醇、HDA，KCL和TIP。待混合溶液搅拌均匀后静置18h，之后离心、洗涤。60℃烘干12h，得到纯净的TiO2粉末。再向无水乙醇和去离子水的混合溶液中加入LiOH·H2O粉末和TiO2粉末，待搅拌均匀后180℃水热反应12h。将反应产物离心，洗涤后60℃烘干12h，即可得纯净的球形Li4Ti5O12粉末。本发明工艺简单，可重复性高。该材料具有良好的电化学性能，适合用作锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN103926260A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410126393.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种进行离子辐照实验的ECR-PECVD装置，该装置包括微波源、通电线圈、进气管、手持式红外测温仪、可视窗口、加热炉、抽真空管道、水冷管、样品、绝缘陶瓷片。设备的腔体上端附有通电线圈，为等气体电离提供磁场；在腔体的一侧设有进气管，底端设有抽气管道，另一侧设有可视窗口。ECR-PECVD设备在化学气上沉积方面有很大的应用，但经过改造后在面向等离子体材料的研究方面也能起到至关重要的作用。其中在样品上加负偏压在150V左右是束达到2x1020He·m-2·s-1，并能够在此参数下稳定长时间的工作；此设备在温度可控的条件下能够进行各种参数的调节，能够稳定的进行工作解决了低能高束流设备短缺的问题。
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