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公开(公告)号：CN114664952B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210254537.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C14/08
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池背接触结构及其制备方法和应用。本申请的薄膜太阳能电池背接触结构，包括薄膜太阳能电池的p型半导体光吸收层，以及设置于p型半导体光吸收层表面的作为p型过渡层的p型氧化钛薄膜。本申请的薄膜太阳能电池背接触结构，采用p型氧化钛薄膜作为薄膜太阳能电池的p型过渡层，可有效增加空穴电荷输运，减少空穴光生载流子界面复合，提高载流子的吸收，提高太阳能电池的光电转化效率；具有高可靠性、高电流的优势，能够制备高效、低成本的薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN114694895A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210256025.2
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , C03C17/245
Abstract: 本申请公开了一种二氧化钛透明导电玻璃及其制备方法和应用。本申请的二氧化钛透明导电玻璃制备方法包括，先在无定形衬底上制备锐钛矿相微晶层，然后在锐钛矿相微晶层上以沉积速率为0.1～500nm/min的速度高速磁控溅射二氧化钛薄膜，最后进行退火处理使薄膜结晶，得到锐钛矿相(004)取向的二氧化钛薄膜，即形成二氧化钛透明导电玻璃。本申请的二氧化钛透明导电玻璃制备方法，通过预先制备锐钛矿相微晶层，能够快速、高效的溅射二氧化钛薄膜，缩短了生产周期，提高了生产效率。并且，本申请的制备方法可以调控锐钛矿相(004)择优取向程度，以满足不同的使用需求。
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公开(公告)号：CN114649429A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210256027.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为氧化镍形成的p型半导体材料层。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，作为阻挡半导体层的氧化镍禁带宽度大、可见光的透过性好，与二氧化钛配合，能降低异质结的界面失配，p型NiO材料与n型TiO2界面的内建势垒高，具有更高耗尽区自建电势，从而拥有更高光电转化能力；通过能带和界面调整，形成优化的pn型异质结，提高器件在高速条件下的光电响应。
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公开(公告)号：CN106191775A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610653622.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/35 , H01B1/08 , C23C14/083 , C23C14/3414
Abstract: 本申请公开了一种掺杂二氧化钛透明导电薄膜及其制备方法和应用。本申请的透明导电薄膜为掺杂二氧化钛薄膜，其中，掺杂为钌掺杂，以及铌和/或钽掺杂。本申请的透明导电薄膜，在二氧化钛中掺杂钌，同时掺杂铌和钽中的一种或两种，使得制备的掺杂二氧化钛薄膜，导电性能优良，耐温性好，透光率高；并且，本申请的透明导电薄膜其原材料成本低廉资源丰富，其制备方法也简单易操作，能够满足大规模批量生产的需求，为透明导电薄膜的推广应用和研究奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105140319A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510351099.4
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L31/035209 , H01L31/18 , H01L31/1828 , H01L51/4226
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池，包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层，隧穿整流层设于前电极层和半导体层间，或者设于半导体层和背电极层间，或者同时设于前电极层和半导体层间，以及半导体层和背电极层间；隧穿整流层为单层或多层结构，隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池，在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层，利用隧穿整流层对电子进行整流，从而有效的避免了载流子的复合，提高太阳能电池的短路电流以及开路电压，进而提高光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000709A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210486809.0
申请日：2012-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0224 , H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本申请涉及光电转换材料领域，具体公开了一种背电极以及含有该背电极的背电极吸收层复合结构以及太阳能电池。该背电极为连续的导电薄膜，并且在其导电薄膜的正面表面上具有凸起的纳米阵列。在背电极吸收层复合结构或太阳能电池中，背电极的凸起的纳米阵列是插入到吸收层内的。本申请设计的插入到吸收层的背电极纳米阵列与电池吸收层的晶粒尺寸相适应，缩短了光生载流子在吸收层中的扩散距离，并且尽可能的避免了吸收层中晶界处缺陷对载流子的复合，极大的提高了光生载流子的收集效率。并且，该纳米阵列结构还能形成尖端电极，产生纳米“避雷针”效应，增强陷光效应，产生量子中间层效应等，使得制备的太阳能电池光电转换效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN114664952A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210254537.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C14/08
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池背接触结构及其制备方法和应用。本申请的薄膜太阳能电池背接触结构，包括薄膜太阳能电池的p型半导体光吸收层，以及设置于p型半导体光吸收层表面的作为p型过渡层的p型氧化钛薄膜。本申请的薄膜太阳能电池背接触结构，采用p型氧化钛薄膜作为薄膜太阳能电池的p型过渡层，可有效增加空穴电荷输运，减少空穴光生载流子界面复合，提高载流子的吸收，提高太阳能电池的光电转化效率；具有高可靠性、高电流的优势，能够制备高效、低成本的薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107180880B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710369916.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的超薄半透明薄膜太阳能电池，包括依序层叠的玻璃基底、透明导电薄膜层、N型过渡层、吸光层、钝化层和背电极；钝化层为铜掺杂半导体层，背电极为NTO导电薄膜，吸光层为CdTe薄膜、CdSe薄膜、CdZnTe薄膜、CdSeTe薄膜、CdMgTe薄膜、CuGaSe2薄膜、CuInSe2薄膜或Cu2ZnSnS2薄膜。本申请的超薄半透明薄膜太阳能电池，采用铜掺杂半导体层作钝化层，可有效消除吸光层的表面悬挂键；并且，与背电极界面接触良好，提高了电池的短路电流密度；通过钝化层的隧穿与整流效应，使电池的可见光透过率达到了10％以上，并且光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN107492584A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710801094.6
申请日：2017-09-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073
CPC classification number: Y02E10/543 , H01L31/1836 , H01L31/022425 , H01L31/073
Abstract: 本发明实施例提供一种碲化镉太阳能电池制备方法及碲化镉太阳能电池，本发明实施例提供了一种碲化镉太阳能电池制备方法，所述方法包括：在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上沉积一层硫化镉CdS薄膜；在硫化镉CdS薄膜上沉积一层碲化镉CdTe薄膜；在氯化镉CdCl2气氛中，对碲化镉CdTe薄膜进行退火处理；在碲化镉CdTe薄膜上旋涂碳纳米管的混合溶液，再在干空气中退火形成碳纳米管薄膜；在碳纳米管薄膜上沉积金属电极。上述技术方案具有如下有益效果：使碳纳米管层具备很好的热稳定性，从而电池不会像铜Cu掺杂做背电极那样出现效率减退，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN207474484U
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201721160703.6
申请日：2017-09-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073
Abstract: 本实用新型实施例提供一种碲化镉太阳能电池，所述碲化镉太阳能电池包括：掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃；硫化镉CdS薄膜，沉积在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上；碲化镉CdTe薄膜，沉积在硫化镉CdS薄膜上；碳纳米管薄膜，沉积在碲化镉CdTe薄膜上；金属电极，沉积在碳纳米管薄膜上。上述技术方案具有如下有益效果：使碳纳米管层具备很好的热稳定性，从而电池不会像铜Cu掺杂做背电极那样出现效率减退，延长使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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