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公开(公告)号：CN102074577A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010506129.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L21/2815 , H01L29/04 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0676 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/413 , H01L29/42376 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN101859783A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010164471.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材料同为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的SOI器件通过在硅片上依次形成第一SiO2层，牺牲层，第二SiO2层，和硅膜衬底层而制造。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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公开(公告)号：CN102064096A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010572032.0
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L28/20
Abstract: 本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。
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公开(公告)号：CN101859783B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010164471.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材料同为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的SOI器件通过在硅片上依次形成第一SiO2层，牺牲层，第二SiO2层，和硅膜衬底层而制造。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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公开(公告)号：CN101859782B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010164465.2
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明所述的制造方法包括：a)在硅片上通过热氧化生长方法形成第一SiO2层；b)在第一SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成多晶硅牺牲层；c)在多晶硅牺牲层上通过热氧化生长方法形成第二SiO2层；d)在第二SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成P型硅层。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847576B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010153583.3
申请日：2010-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/316 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。
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公开(公告)号：CN101789374A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010100174.7
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选择性湿法腐蚀源区、漏区和碰撞电离区上方的介质膜，可以依次自对准的将它们制备出来，由此消除了传统制备IMOS工艺中多次光刻之间对准偏差的影响，有利于制备出特性稳定可靠的平面IMOS器件。
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公开(公告)号：CN102074577B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010506129.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L21/2815 , H01L29/04 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0676 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/413 , H01L29/42376 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN102097296B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010506128.7
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , G03F7/00 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。
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公开(公告)号：CN102064096B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010572032.0
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3086 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L28/20
Abstract: 本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。
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