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公开(公告)号：CN105780124A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III?V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III?V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置?即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN105780124B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置‑即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN104878451B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN106148912A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510134948.0
申请日：2015-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于生长电子器件的复合反应室外延设备，包括物理沉积反应腔室和化学沉积反应腔室；两个反应腔室均设有源材料输送管道及冷却水管道、盖板、控制器和样品托盘，并通过中转室进行相互连接，用于传输样品。本发明充分利用物理和化学沉积优点，利用物理反应室沉积异质外延所需的缓冲层和过渡层，利用中转室传输到化学反应室沉积器件结构。复合反应室外延设备既可实现从物理沉积反应腔室到化学沉积反应腔室的沉积，也可实现先化学沉积再物理沉积。本发明可解决现有技术中金属有机气相沉积设备生长缓冲层晶体质量较差，位错密度较高的问题，有利于器件的产业化和实用化。
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公开(公告)号：CN105442046A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610017711.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充反应物溶液，反应釜内设置有晶种支撑装置，该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于，所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置，晶种模板设置于支撑装置内部，反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入，通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题，有效提高晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104878451A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN204608217U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520270379.8
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化物体单晶材料的生长装置，包括提供晶体生长的反应釜与提供N源的氮气罐，氮气罐通过管路与反应釜连接，反应釜内底部放置有原材料溶液与晶种模版，还包括带有金属源的金属源预加热区，该金属源预加热区通过加热器加热，该金属源预加热区上设有出口端，该出口端上设有用于调控金属流量的开关，金属源预加热区内的金属源经出口流至反应釜内，该金属源预加热区内置在反应釜中或者单独设置在反应釜外部，且该金属源预加热区通过管路与氮气罐连通。本实用新型有效克服了传统反应釜无法实现生长习性调控的缺点，提高氮化物体单晶材料的晶体质量和产率。
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公开(公告)号：CN204714948U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520345573.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。
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公开(公告)号：CN204717598U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520209997.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
IPC: F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型公开了一种LED光学透镜，包括LED透镜本体，该LED透镜本体内设有LED安装腔，所述LED透镜本体的出光面涂覆有氟化镁膜层，该氟化镁膜层涂覆在LED透镜本体出光面的外表面或者内表面。本实用新型通过在透镜的出光表面设置氟化镁膜层，可以减少镜头界面对射入光线的反射，减少光晕，增强LED光效，提高光的利用率。
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公开(公告)号：CN204714947U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520345520.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有反应物溶液，反应釜内设有晶种模板，所反应釜侧壁周围设有第一加热装置，反应釜底面外表面设有第二加热装置，反应釜内设有位于反应物溶液的液面上方的第三加热装置，第一加热装置的加热温度高于第二加热装置和第三加热装置的加热温度，第二加热装置的加热温度和第三加热装置的加热温度相异。本实用新型通过不同加热装置实现温度控制，使得反应釜内的反应物溶液形成有序的对流，使对流的中心点集中在晶种模板上，有效增加了晶体生长所需的N浓度。解决热对流无序引起的晶体生长不均匀及晶体质量差等问题，提高晶体质量且显著增大晶体生长速度。
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