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公开(公告)号：CN105274496B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410270321.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，其特征是，MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiNx掩膜层。在线的SiNx掩膜层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能大幅提高晶体质量的同时还能实现良好的应力释放效果，尤其在GaN‑On‑Silicon外延中。本发明提供了突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，打破了MOCVD生长中气流稳定性的要求，利用突变式冲击气流，使得SiNx掩膜层更为零散随机，从而实现更好的位错阻隔功能层的效果，也能很好地释放异质生长中带来的应力。
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公开(公告)号：CN105113004A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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公开(公告)号：CN105113004B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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公开(公告)号：CN105442046B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610017711.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充反应物溶液，反应釜内设置有晶种支撑装置，该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于，所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置，晶种模板设置于支撑装置内部，反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入，通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题，有效提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN105648533A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610140081.4
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10
Abstract: 本发明一种液相生长氮化镓晶体的装置，包括：反应釜、置于反应釜外的加热装置、放置于反应釜内的坩埚、坩埚内装的生长溶液和籽晶、及电磁感应驱动搅拌装置。所述搅拌装置，有两种：第一种为电磁感应装置驱动搅拌器旋转型，第二种为电磁感应装置驱动坩埚旋转型；所述电磁感应装置，由置于反应釜外的外部线圈装置及与其连接的交变电源、与搅拌器或坩埚固定连接的内部线圈装置组成。本发明，电磁感应驱动搅拌装置，可使晶体生长溶液混合均匀，搅拌可控，利于晶体均匀生长，较实用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105274496A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410270321.3
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种MOCVD中突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，其特征是，MOCVD反应腔中突变导致非稳定气流环境下在线生长SiNx掩膜层。在线的SiNx掩膜层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能大幅提高晶体质量的同时还能实现良好的应力释放效果，尤其在GaN-On-Silicon外延中。本发明提供了突变式冲击气流在线生长SiNx掩膜层的方法，打破了MOCVD生长中气流稳定性的要求，利用突变式冲击气流，使得SiNx掩膜层更为零散随机，从而实现更好的位错阻隔功能层的效果，也能很好地释放异质生长中带来的应力。
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公开(公告)号：CN104962995A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510436581.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充有生长溶液，反应釜底部设有晶种模板，反应釜顶部设有氮气进气口，该氮气进气口内设有压力调节阀门，其特征在于，所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置，该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统，使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点，有效提高了晶体质量及均匀性。
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公开(公告)号：CN104862781A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液，C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN104862781B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga‑Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga‑Na源材料由固体变为Ga‑Na溶液，C片由于密度小于Ga‑Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga‑Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga‑Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN104962995B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510436581.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充有生长溶液，反应釜底部设有晶种模板，反应釜顶部设有氮气进气口，该氮气进气口内设有压力调节阀门，其特征在于，所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置，该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统，使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点，有效提高了晶体质量及均匀性。
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