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公开(公告)号：CN116632044A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310703045.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 北京大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管的制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明在基本的隧穿场效应晶体管结构的基础上，采用外延方法在衬底表面和栅叠层之间制备了一个具有和漏区或源区同样掺杂类型的中等浓度硅材料作为沟道区，从而降低或增大了隧穿场效应晶体管用于沟道反型的栅电压，进而降低或增大了隧穿场效应晶体管的开启电压。同时，沟道区的厚度较小，器件的衬底区主体仍然是轻掺杂的高阻硅，因此隧穿场效应晶体管的低关态电流优势得以保持。本发明可以与CMOS工艺兼容，可以用于未来大规模低功耗集成电路的集成。
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公开(公告)号：CN114171080A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111361177.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/409 , G11C8/08 , G11C7/12 , G11C5/14
Abstract: 本发明公开一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。本发明存储器结构包括一个用于存储信息的铁电存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管，隧穿场效应晶体管用于对所述的铁电存储单元进行控制，进行写操作和读操作。多个所述存储器结构组成半导体存储器阵列，其控制方法包括写0、写1、读取和重写步骤。本发明利用隧穿场效应晶体管单向导通特性和极低漏电流特性，可以降低存储器阵列的操作电压和功耗、提升存储器集成密度，适用于半导体存储器芯片的制造，且其控制方法和电路也较为简单。
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公开(公告)号：CN113868854A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111119437.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响，使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落，有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。
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公开(公告)号：CN117590185A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311437106.3
申请日：2023-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种分离隧穿场效应晶体管涨落源的方法，属于半导体技术领域。本发明针对带有漏端欠覆盖区的隧穿场效应晶体管(DLund‑TFET)，将对于漏端隧穿结隧穿几率影响最大的两个涨落源的影响——杂质掺杂浓度梯度(DG)涨落和漏端欠覆盖区长度(Lund)涨落——分离开，并进一步提取出杂质掺杂浓度梯度(DG)涨落和漏端欠覆盖区长度(Lund)涨落。所有工作只需借助半导体分析仪和MATLAB即可完成，具有快速、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN117316234A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311361127.1
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/419 , G11C11/412
Abstract: 本发明公开了一种超低功耗的静态随机存取存储器单元，该单元电路包括双反相器子电路、第一写缓冲子电路、第二写缓冲子电路和读缓冲子电路，双反相器子电路作为存储单元，通过交叉耦合实现对数据的锁存操作，所述第一写缓冲子电路和第二写缓冲子电路均采用一NMOS，第一写缓冲子电路与第一写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作；第二写缓冲子电路与第二写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作。本发明使用单个NMOS作为写缓冲子电路，相比于传统TFET SRAM从根本上避免TFET单向导通、正向p‑i‑n电流和串联电流衰减问题，减小了写延迟，提高了噪声容限。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171081A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111362432.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/409 , G11C8/08 , G11C7/12 , G11C5/14
Abstract: 本发明公开一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。本发明存储器结构包括一个用于存储信息的铁电存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管，隧穿场效应晶体管用于对所述的铁电存储单元进行控制，进行写操作和读操作。多个所述存储器结构组成半导体存储器阵列，其控制方法包括写0、写1、读取和重写步骤。本发明利用隧穿场效应晶体管单向导通特性和极低漏电流特性，可以降低存储器阵列的操作电压和功耗、提升存储器集成密度，适用于半导体存储器芯片的制造，且其控制方法和电路也较为简单。
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公开(公告)号：CN117558312A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311533540.1
申请日：2023-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种铁电随机存取存储器阵列及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。该阵列由铁电随机存取存储器单元重复排列构成，存储器单元包括一个铪基铁电电容作为铁电存储单元和一个P型MOSFET器件作为该铁电存储单元的选择管，该P型MOSFET器件包括一个源电极、一个漏电极、一个栅电极和一个体电极，阵列中同一行的存储器单元共用一条字线和一条板线，同一列的存储器单元共用一条位线，字线与板线互相平行，字线与位线互相垂直，所有体电极连接到同一个固定电压源。其控制方法包括保持、写0、写1、读取和重写步骤，使铁电存储器的操作电压是P型MOSFET器件电源电压的两倍，使选择管不再限制铁电存储器单元的尺寸微缩。
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公开(公告)号：CN116978857A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310610459.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76
Abstract: 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管器件的隔离方法，属于微纳电子学技术领域。本发明在TFET器件的基础上加入了三个隔离结构，不同隧穿场效应晶体管的同种掺杂类型的源漏区之间的漏电通路中，不论是源漏区与隔离结构二之间，还是隔离结构二与隔离结构三之间，不存在正偏PN结，全部是反偏或者零偏PN结，结合隔离结构一，可以实现对不同隧穿场效应晶体管之间泄漏电流的抑制作用。本发明可以在不增大版图面积的前提下，有效隔离TFET器件间的漏电，使得TFET电路正常工作的同时，发挥出其低功耗的优势。
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