公开(公告)号：CN115804621A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211376503.X

申请日：2022-11-04

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)

Inventor： 崔立刚 ,  李玉冰 ,  龙斌 ,  苏畅 ,  葛喜凤 ,  林伟军

IPC: A61B8/08

Abstract: 本申请涉及医学超声测量技术领域，具体提供了一种超声波原位测量颅骨厚度和声速的方法，包括：获取N个发射阵元的反射回波数据，其中，N个发射阵元按设定顺序逐个向颅骨待测位置发射超声波，阵列上与发射阵元成中心对称的阵元接收超声波的反射回波；将N个发射阵元的反射回波数据排列在一起，形成N个发射阵元的波列图；根据所述波列图提取N个发射阵元的正入射反射到时对应的声压振幅值，叠加所提取的声压振幅值形成叠加振幅值谱，波列图对应的叠加声压振幅值最大处为等效匹配速度；根据多个叠加声压振幅值最大处的等效匹配速度和正入射反射到时，计算颅骨待测处的声速和厚度。本申请的方法能够原位准确测量出颅骨的声速和厚度。

公开(公告)号：CN117371238A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311439868.7

申请日：2023-11-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  邓闵月 ,  黄如

IPC: G06F30/20 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种面向高密度存储的三维环状铁电电容的仿真方法。本发明利用矢量合成分解原则来定义环状结构的极轴方向，可以准确仿真三维环状结构中径向对称的极化分布，同时能够反映氧化铪基铁电材料多畴极化翻转等特点。本发明的仿真方法填补了目前针对三维环状结构铁电电容电学特性准确仿真描述上的缺失。本发明的仿真方法能够进一步计入氧化铪基铁电电容的多相共存的晶粒分布特点，从而可以作为准确评估面向更高密度存储的三维铁电电容性能的可靠依据。

公开(公告)号：CN117371240A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311443416.6

申请日：2023-11-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  邓闵月 ,  符芷源 ,  黄如

IPC: G06F30/20 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种面向高密度存储的三维环状铁电电容建模方法，属于半导体器件技术领域。该建模方法利用高斯定理和三维与二维电容的电荷密度之间的关系，可以涵盖三维环状结构几何特点、氧化铪基铁电材料多畴极化翻转等特点。本发明填补了目前针对三维环状结构铁电电容电学特性准确模型描述上的缺失，能够进一步计入氧化铪基铁电电容的多相共存的晶粒分布特点，从而可以作为准确评估面向更高密度存储的三维铁电电容性能的可靠依据。

公开(公告)号：CN113868854A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111119437.3

申请日：2021-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  张立宁 ,  冯宁 ,  王凯枫 ,  焦彦欣 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响，使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落，有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。

公开(公告)号：CN113868854B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202111119437.3

申请日：2021-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  张立宁 ,  冯宁 ,  王凯枫 ,  焦彦欣 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响，使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落，有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。

公开(公告)号：CN114551598A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210121036.X

申请日：2022-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  徐劭迪 ,  苏畅 ,  王凯枫 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明在TFET控制栅中加入反铁电层带来负电容效应，当满足动态极化匹配条件时栅压放大系数大于1，亚阈值斜率可以得到改善。负电容效应中栅压放大系数先增后减，反铁电的极化‑电压关系使负电容效应可以开始于其下面串联的TFET的亚阈区，从而负电容效应中栅压放大系数上升的一段延缓了TFET亚阈值斜率退化的问题，降低平均亚阈值斜率，在低电压操作时提高了开态电流，展示出巨大的超低功耗应用前景。