公开(公告)号：CN105374752B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510701681.9

申请日：2015-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  陈珙 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823885 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能够精确地控制器件沟道的截面积大小和形貌，提高器件的特性的一致性；避免了现有方法中沟道形成过程中的刻蚀损伤，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN106611704A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510702268.4

申请日：2015-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  杨远程 ,  张昊 ,  樊捷闻 ,  黄如

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518

Abstract: 本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为：1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。本发明可实现小于2nm的超薄硅化物的制备，且通过改变插入阻挡层的厚度来控制驱入的金属量，以此可以得到同一金属但不同物相和不同厚度的硅化物，工艺可控性高；形成的超薄硅化物具有低电阻率、低肖特基势垒、均匀性好和平整度好的特点；对常规超薄硅化物制备方法中金属的淀积工艺窗口大大放宽；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN103219242B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310103272.X

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2252 ,  H01L21/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。

公开(公告)号：CN103824759B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201410098730.X

申请日：2014-03-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  宣浩然 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种制备多层超细硅线条的方法，包括：制备硅的腐蚀掩蔽层；外延形成Fin及其两端的源漏区；形成多层超细硅线条。本发明的优点如下：原子层淀积可准确定义超细线条的位置，可控性好；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，腐蚀所得的纳米线截面形貌均匀、平整；采用先制备掩膜，后外延沟道的方法，形成多层侧壁腐蚀掩膜的工艺简单，不论掩蔽层层数多少，仅需一次外延窗口的刻蚀即可得到多层侧壁掩膜；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用TMAH溶液湿法腐蚀多晶硅，操作简便，安全；不会引入金属离子，适用于集成电路制造工艺中；完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。

公开(公告)号：CN103292747A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310187691.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李佳 ,  黎明 ,  樊捷闻 ,  杨远程 ,  宣浩然

IPC: G01B11/30

Abstract: 本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置，装置包括：显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备，将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧，光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光；收集经过散射的光束，将光束转化为电信号输出；根据该电信号计算得到表面粗糙度。本发明的方法解决了其他测量仪器无法测量垂直侧墙粗糙度这一问题，有利于半导体制备工艺中纳米线条制备的表征，对集成电路制备工艺研究有重要意义。本发明的装置结构简单，成本低。测量系统组成仪器简单易购买，光学系统测量，无需使用探针，没有消耗配件，成本相对较低。

公开(公告)号：CN103219242A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310103272.X

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2252 ,  H01L21/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。

公开(公告)号：CN102053114B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201010528764.X

申请日：2010-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹积彬 ,  黄如 ,  王润声 ,  艾玉杰 ,  樊捷闻

IPC: G01N27/60

CPC classification number: H01L22/14 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称，测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称，首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态，然后通过改变偏压设置依次循环进行下述步骤：1)将载流子通过源漏送入沟道产生反型层，且部分载流子被栅介质层陷阱限制；2)将反型层载流子分别引回源漏，但被栅介质层陷阱限制住的载流子不流回沟道；3)使栅介质层陷阱限制的载流子仅通过漏端流出；根据循环周期、器件沟道尺寸和源漏直流电流计算出栅介质层陷阱密度。该方法简便有效，设备简单，成本低廉，适用于无衬底引出器件，特别是围栅器件的栅介质层陷阱测试。

公开(公告)号：CN102157557B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110029706.7

申请日：2011-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  邹积彬 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉洁 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。

公开(公告)号：CN102364660A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201110333277.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  孙帅 ,  艾玉杰 ,  樊捷闻 ,  王润声 ,  徐晓燕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种基于光刻和氧化工艺相结合来实现超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法基于普通光学光刻与氧化工艺相结合的方法来得到悬空超细线条。制备出的纳米线的直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确地控制在以下，并由于干法氧化速度较慢，所以对最终细线条的尺寸可以得到精确地控制。同时利用传统普通光学光刻和氧化工艺，成本低，可行性高。

公开(公告)号：CN102315170A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110138735.7

申请日：2011-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  樊捷闻 ,  艾玉杰 ,  孙帅 ,  王润声 ,  邹积彬 ,  黄欣

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/311 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。