公开(公告)号：CN102157557B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110029706.7

申请日：2011-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  邹积彬 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉洁 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。

公开(公告)号：CN102157556A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110029601.1

申请日：2011-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹积彬 ,  黄如 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉洁 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。本发明基于氧化分凝技术制备出适合应用在高速电路中的埋沟结构硅基围栅晶体管，避免了围栅器件多晶向带来的迁移率下降和严重的随机电报噪声现象。

公开(公告)号：CN102157557A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110029706.7

申请日：2011-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹积彬 ,  黄如 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉洁 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。

公开(公告)号：CN102157556B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110029601.1

申请日：2011-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 邹积彬 ,  黄如 ,  王润声 ,  杨庚雨 ,  艾玉洁 ,  樊捷闻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。本发明基于氧化分凝技术制备出适合应用在高速电路中的埋沟结构硅基围栅晶体管，避免了围栅器件多晶向带来的迁移率下降和严重的随机电报噪声现象。