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公开(公告)号：CN109063324B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201810852333.5
申请日：2018-07-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于角点网格的有限元地应力模拟技术方法，包括如下步骤：1、建立基于角点网格三维构造格架模型和相模型；2、基于测井数据采用下述公式计算井筒上密度、杨氏模量和泊松比；3、建立全区三维角点网格属性模型；4、提取并记录角点网格系统中每个网格单元节点坐标；5、形成有限元网格系统；6、将每个六面体网格转换为对应的4个四面体网格；7、将每个六面体网格的属性赋予对应的四面体网格；8、获得基于有限元网格的地应力属性模型；9、采用算术平均算法计算出每个网格应力属性；10、重采样至角点网格模型中。本专利既可以有效的保留角点网格所描述的储层特征，也可以采用有限元方法较为准确的模拟研究区域的三维应力场分布状况。
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公开(公告)号：CN119008522A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411092291.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种基于亚微米硅通孔的三维集成方法和三维集成结构，涉及半导体技术领域，包括：对第一晶圆的第一表面进行处理，得到处理后第一晶圆，处理后第一晶圆的第一表面上为键合层级结构，键合层级结构包括：第一支撑层，和，嵌入第一支撑层的多个金属衬垫；在第二晶圆的第二表面上制备多个第一硅通孔；向第一硅通孔中填充第一金属材料，得到多个填充后硅通孔；在二氧化硅绝缘层背离第二表面的表面，制备键合层级结构，得到处理后第二晶圆；键合处理后第一晶圆和处理后第二晶圆，对处理后第二晶圆进行减薄，减薄至填充后硅通孔的孔径的10倍；在处理后第二晶圆背离第二表面的表面，依次键合一个或多个第三晶圆，得到三维集成结构。
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公开(公告)号：CN118737363A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310336363.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京大学人民医院
Abstract: 本发明公开了一种辅助判断孕妇睡眠呼吸暂停风险的试剂盒。本发明试剂盒，包括参数采集设备和可读性载体；所述参数采集设备包括采集所述可读性载体中涉及的各项参数的设备；所述可读性载体上记载了如下式Ⅰ和式Ⅱ的内容，式Ⅰ：Y＝‑0.0660×A+0.0029×W+0.0298×BMI0+0.0713×BMI1‑0.0581×N+0.5606×S+0.5472×BP+0.7262×GDM+1.5813×T+1.0780×M+0.2746×Answer1+1.2885×Answer2‑0.1551×Answer3‑1.2370；式Ⅱ：#imgabs0#式Ⅰ中Y表示孕妇睡眠呼吸暂停所收集参数的总分数；式Ⅱ中，P表示孕妇出现睡眠呼吸暂停风险的发生率。本发明在计算模型的基础上，通过收集或测量相关的参数，即能辅助判断孕妇出现睡眠呼吸暂停风险的发生率。
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公开(公告)号：CN118335628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410734114.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。
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公开(公告)号：CN118366870B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118366943A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
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公开(公告)号：CN118366870A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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公开(公告)号：CN117832170A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410245397.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构，该方法包括：在被接基材的表面沉积种子层；在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料；通过光刻技术将光刻材料图形化，形成具有多个目标区域的凸点模板；在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层；空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列；去除空穴模型层和凸点模板，至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道，得到多个具有空穴结构的焊接凸点；预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法，制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力，降低了在高温环境下微凸点断连的风险。
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公开(公告)号：CN116854027A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310745056.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN109102180B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810852334.X
申请日：2018-07-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种致密砂岩储层双甜点评价的综合参数评价方法，包括如下步骤：1)建立三维地质构造模型；2)建立三维地质属性模型；3)选择评价指标；4)选取评价方法，包括层次分析法和模糊综合判别法。本专利主要关注地质与工程“双甜点”多信息融合，基于多参数三维地质模型，引入层次分析法和模糊综合评判，并进行了符合“双甜点”评价需求的改造和融合，解决了人工判断的模糊性、不一致性等问题，提高了“甜点”评价的可靠性。
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