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公开(公告)号：CN113622024A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010380747.X
申请日：2020-05-08
Abstract: 本发明提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括通过化学气相沉积工艺制备所述单晶石墨烯；其中，所述化学气相沉积工艺包括如下步骤：S1：于不包含还原性气体的反应体系内，在基底上形成石墨烯核；以及S2：于还原性气体的作用下，在所述石墨烯核的基础上形成所述单晶石墨烯。本发明一实施方式的单晶石墨烯的制备方法，在石墨烯成核阶段未使用还原性气体，使得石墨烯核的取向完全受单晶基底的调控，实现取向一致。
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公开(公告)号：CN110883017B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811051425.X
申请日：2018-09-10
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111575757A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010450576.3
申请日：2020-05-25
IPC: C25D7/06 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D3/12 , C23C14/16 , C23C14/02 , C23C14/58 , C30B25/18 , C30B29/02 , B01J23/755
Abstract: 本发明提供一种铜镍合金及其制备方法和应用，以及二维材料生长衬底，该铜镍合金的制备方法包括：对铜箔进行预退火处理；预退火处理后的铜箔经镀镍处理得到铜镍复合箔；及铜镍复合箔经退火合金化处理，得到铜镍合金。本发明通过对铜箔进行预退火处理，可有效解决铜镍原子在退火合金化过程当中因应力释放导致的箔材卷曲、表面粗糙化的问题，得到表面平整度Ra＜150nm的铜镍合金。该铜镍合金可作为衬底生长二维材料，例如石墨烯，有效提高石墨烯质量，降低石墨烯转移破损率。本发明的制备方法工艺简单、成本低，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108726510B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710260014.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186 , G01N23/22 , G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种大面积超洁净石墨烯及其宏量制备方法与其洁净度的快速评估方法。所述超洁净石墨烯的宏量制备方法包括采用化学气相沉积的步骤；在生长基底的上方设置泡沫铜。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：在石墨烯样品上沉积纳米颗粒；根据所述纳米颗粒的沉积情况，即实现对所述石墨烯样品洁净度的评估。通过泡沫铜的引入，可以得到连续面积在微米级别的超洁净石墨烯，有效地减少了生长过程中引入的无定型吸附物。亚厘米级单晶石墨烯(即单个畴区)经过进一步生长可以拼接为单层石墨烯薄膜，此时单层石墨烯薄膜样品面积只与铜箔大小有关，从而能够实现大面积制备，可推广至大规模生产。
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公开(公告)号：CN109422260A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/196 , C01B32/30
Abstract: 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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公开(公告)号：CN107539976A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114717654B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210359580.8
申请日：2022-04-06
Abstract: 本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定。本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN112299399B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910680165.0
申请日：2019-07-26
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。
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公开(公告)号：CN114717654A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210359580.8
申请日：2022-04-06
Abstract: 本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定。本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN114572970A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210291247.8
申请日：2022-03-23
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
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