公开(公告)号：CN118016592A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410120680.4

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：对第一正面栅极结构、第一背面栅极结构、第三正面栅极结构和第三背面栅极结构进行栅极切断，以形成第一栅极切断凹槽和第二栅极切断凹槽，以及对第二背面栅极结构进行栅极切断，以形成第三栅极切断凹槽；在第一栅极切断凹槽、第二栅极切断凹槽和第三栅极切断凹槽中填充绝缘材料，以形成第一栅极切断结构、第二栅极切断结构和第三栅极切断结构；对第二栅极切断结构对应于第三背面栅极结构的部分进行光刻，以形成第四栅极切断结构和第一凹槽；在第一凹槽中填充金属材料，以形成栅极互连金属。通过本申请，可以实现半导体结构中的电学互连的灵活设计。

公开(公告)号：CN117438470B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311397765.9

申请日：2023-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。

公开(公告)号：CN117995778A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410069577.1

申请日：2024-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/74

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括用于制备第一晶体管的第一有源结构和用于制备第二晶体管的第二有源结构；基于有源结构，形成第一浅沟槽隔离层、第二浅沟槽隔离层和第三浅沟槽隔离层；去除第一浅沟槽隔离层或第三浅沟槽隔离层，以暴露第二浅沟槽隔离层；在第二浅沟槽隔离层上刻蚀出第一凹槽；通过在第一凹槽中沉积金属材料，形成埋层结构；埋层结构与第一晶体管的金属通孔和/或第二晶体管的金属通孔连接。通过本申请，可以在半导体结构内部实现信号线的互连。

公开(公告)号：CN117832173B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202311740316.X

申请日：2023-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。

公开(公告)号：CN119153405A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411137599.3

申请日：2024-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成第一鳍状结构、中间叠层和第二鳍状结构；形成第一电源轨结构；在第一正面源漏区域进行鳍切处理，以形成第一间隙；基于第一间隙，形成第一中间隔离层；刻蚀位于第一正面源漏区域中的第一中间隔离层，以形成第二间隙；基于第二间隙，形成正面金属电连层；形成第一半导体结构；倒片并去除衬底；形成第二电源轨结构；在第一背面源漏区域和第二背面源漏区域进行鳍切处理，以形成第三间隙；基于第三间隙，形成第二中间隔离层；刻蚀位于第二背面源漏区域中的第二中间隔离层，以形成第四间隙；基于第四间隙，形成背面金属电连层；形成第二半导体结构。

公开(公告)号：CN118943083A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410760678.3

申请日：2024-06-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属；其中，在形成第一源漏金属之前，形成第一绝缘层，第一绝缘层位于第一晶体管的第一栅极结构上，第一绝缘层用于隔离第一栅极结构与第一源漏金属；在形成第二源漏金属之前，形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第二晶体管的第二栅极结构上，第二绝缘层用于隔离第二栅极结构与第二源漏金属。

公开(公告)号：CN118899260A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410980601.7

申请日：2024-07-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的接口引出方法、晶体管、器件及设备。该方法包括：基于一倒装堆叠晶体管，形成第一金属互连层和第二金属互连层，倒装堆叠晶体管包括自对准的第一晶体管和第二晶体管，第二金属互连层、第二晶体管、第一晶体管以及第一金属互连层沿第一方向依次堆叠；形成再布线RDL层以及形成于RDL层上的第一载片层，第一金属互连层通过RDL层与第一载片层连接；在第二金属互连层上形成第二载片层，第二载片层与第二金属互连层连接。本申请可以实现倒装堆叠晶体管双面输入输出接口的引出。

公开(公告)号：CN118299331A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410248616.4

申请日：2024-03-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管；正面晶体管和背面晶体管自对准；其中，堆叠叉板晶体管的介质叉板结构贯穿正面有源结构和背面有源结构，介质叉板结构将正面有源结构分为对称设置的两部分，介质叉板结构将背面有源结构分为对称设置的两部分，介质叉板结构为采用非均匀沉积形成的，介质叉板结构内部具有空气间隙。通过本申请，可以有效降低电容。

公开(公告)号：CN117116859B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310987931.4

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次形成由不同晶格常数的材料制成的第一材料层和第二材料层；刻蚀第一材料层和第二材料层，形成的鳍结构包括由刻蚀后的第一材料层形成的第一部分和由刻蚀后的第二材料层形成的第二部分；基于第二部分，形成底层晶体管；倒片后基于第一部分，形成顶层晶体管。本申请通过利用鳍结构的第二部分形成底层晶体管，倒片后利用鳍结构的第一部分形成顶层晶体管，使得上下两层晶体管共用鳍结构且实现自对准。另外，由于第一部分与第二部分由不同晶格常数的材料形成，使得底层晶体管和顶层晶体管所共用的鳍结构中产生对应的沟道应力，保证了半导体结构的正常工作。

公开(公告)号：CN118039565A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410121713.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。方法包括：形成第一半导体结构；第一半导体结构包括：衬底结构和有源结构；在第一半导体结构的衬底结构上的栅极区域沉积绝缘材料，形成栅介质层；栅介质层包裹有源结构；基于被栅介质层包裹的第一部分，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一金属互连层；第一半导体结构进行倒片，基于被栅介质层包裹的第二部分，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二金属互连层。可见，在上下两层晶体管制备过程中，通过先制备栅介质层，再形成上下两层晶体管的金属互连层，使得在形成金属互连层时，可以消除栅介质层对互连通孔的阻塞，从而保证上下两层晶体管的栅极结构与金属互连层之间的连接。