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公开(公告)号：CN113092463A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911342818.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种探测二维材料晶界的方法。所述方法将二维材料利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，高温条件下含氧氛围中缓慢加热，使得缺陷下的铜被氧化，从而在光学显微镜下即可看到不同衬度。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观测到二维材料的晶界。
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公开(公告)号：CN112875659A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110263621.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明提供了一种原位实现六方氮化硼均匀氟掺杂的方法，涉及六方氮化硼的制备以及对其进行元素掺杂的方法。本方法采用含氟化合物作为前驱体，在其下游位置放置金属箔片作为生长基底，然后利用化学气相沉积法，快速获得均匀氟掺杂的六方氮化硼。本发明提出的方法，通过简单、快速、无损的手段，原位实现了高质量、均匀氟掺杂的六方氮化硼样品。
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公开(公告)号：CN109837523B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810493954.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN118087031A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242108.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 北京大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请提供一种新型IV‑VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法，涉及半导体材料领域。制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，前驱体膜层包括M膜以及分散于M膜中的X颗粒，M包括Ge或Sn，X包括S或Se。在前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中盖层的生长温度≤200℃，盖层与衬底连接并形成容置前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使中间体先升温至220‑280℃低温热处理1‑5h，接着升温至IV‑VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，其能够制得厚度可控且均一的晶圆级IV‑VI族半导体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113534329A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010299998.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的非线性光纤及测试方法，在所述光纤的至少部分表面上覆盖有二维材料薄膜；其中，所述二维材料薄膜通过直接生长的方法覆盖在所述光纤的至少部分表面上。相比采用二维材料薄膜涂覆或转移的方法制备的光纤，本发明的光纤中二维材料薄膜具有高质量和可重复性。本发明的基于二维材料的非线性光纤的测试方法，证明了基于二维材料的非线性光纤具有高的非线性信号。本发明通过集成高质量二维材料薄膜和光纤实现了高的非线性响应，且这种二维材料非线性光纤具有优良的全光纤集成能力，可广泛应用于光纤通信、频率转换和脉冲激光产生等领域。
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公开(公告)号：CN113511681A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010273633.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的衬底均匀涂一层过度金属源后反扣于硫族元素化合物晶片上，二者构建出局域空间置于管式炉中。在高温情况下，由硫族元素晶片释放的硫族元素与衬底上的过渡金属源直接发生反应在衬底上得到相应的过渡金属化合物。相比常规CVD方法，该方法完美解决了在生长过程中前驱体源扩散供应不足不均匀的问题。具有工艺简单，生长速度快，普适性强等特点，可用于制备不同种类的过渡金属硫族化合物(TMDC)材料，为二维材料的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN110010449B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910283426.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/363 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质，并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。
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公开(公告)号：CN110554455A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN110010449A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910283426.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/363 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质，并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。
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