公开(公告)号：CN103881130B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410111213.1

申请日：2014-03-25

Applicant: 北京印刷学院 ,  烟台鸿庆包装材料有限公司

Inventor： 王正铎 ,  陈强 ,  原建松 ,  曹庆波

IPC: C08J7/18

Abstract: 本发明涉及一种大气压气体放电等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线，属于塑料表面处理技术领域。该生产线包括塑料走膜系统、等离子体放电系统和黏合剂涂布系统，等离子体放电系统包括放电表面正向相对且平行放置的第一平板电极和贴有绝缘介质的第二平板电极，第一平板电极的放电表面与绝缘介质之间的间隙组成的等离子体放电区域，待处理的塑料膜通过塑料走膜系统进入等离子体放电系统的等离子体放电区域进行接枝改性处理，经处理后进入黏合剂涂布系统涂布完成处理。本发明缩短了生产线，减少了工序，降低了环境污染、能耗和生产线占地面积，利用该方法对塑料表面处理，降低了成本，保证了黏合剂附着牢固。

公开(公告)号：CN102677022B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210001350.0

申请日：2012-01-04

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 陈强 ,  杨丽珍 ,  王正铎 ,  桑利军 ,  刘忠伟 ,  张受业

IPC: C23C16/50

Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。

公开(公告)号：CN103972451A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410216920.7

申请日：2014-05-21

Applicant: 北京印刷学院 ,  烟台鸿庆包装材料有限公司

Inventor： 王正铎 ,  陈强 ,  朱惠钦 ,  原建松 ,  曹庆波

IPC: H01M2/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于材料表面改性处理技术，特别是对电池隔膜进行表面改性处理的方法。其原理为在离子辅助电子束蒸发镀膜装置中，无机氧化物原料被加热蒸发、沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层的过程中，硅氧烷类有机单体被离子源电离活化并掺杂至无机氧化物涂层中。由于无机氧化物涂层的引入，提高了聚烯烃隔膜的亲水性和耐热性。且由于硅氧烷类有机单体的离化掺杂效应，明显降低无机氧化物涂层的内应力和阻隔性，从而使聚烯烃隔膜可以较好地保持原有的柔韧性和孔隙。从而，改善聚烯烃电池隔膜的亲水性、耐热性，并保持较好的柔韧性和孔隙率。

公开(公告)号：CN102677022A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210001350.0

申请日：2012-01-04

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 陈强 ,  杨丽珍 ,  王正铎 ,  桑利军 ,  刘忠伟 ,  张受业

IPC: C23C16/50

Abstract: 一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积效率，并优化所沉积材料的微观结构和性能。

公开(公告)号：CN206188874U

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201621265699.5

申请日：2016-11-22

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 张海宝 ,  陈强 ,  袁燕 ,  王正铎 ,  桑利军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/26 ,  C23C14/30

Abstract: 本实用新型公开了一种高附着力镀铝膜，属于柔性包装薄膜材料制备技术领域。一种高附着力镀铝膜，包括镀膜基材和最外层的镀铝层，在镀膜基材和最外层的镀铝层之间有金属缓冲层，金属缓冲层的厚度为5‑50nm，镀铝层的厚度为10‑200nm。镀膜基材选自聚酯、聚乙烯、聚丙烯、双向拉伸聚丙烯，金属缓冲层选自铝、铜、铬、钛、铁或这些金属的合金。金属缓冲层通过磁控溅射制备；镀铝层可以通过电阻法蒸发、电子束法蒸发、高频感应蒸发或磁控溅射制备，采用磁控溅射制备时可以和金属缓冲层在同一套装置中完成。本实用新型可极大地增强镀铝膜的附着性能，可获得附着力在10N/15mm以上的高附着性能镀铝膜，产品附加值高。