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公开(公告)号：CN107163936B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710322236.0
申请日：2017-05-09
Applicant: 北京交通大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种新型白色长余辉发光材料，所述材料的分子式为Zn2GeO4，主相结构属于菱方晶系。本发明采用高温固相法合成，将ZnO与GeO2研磨混匀后煅烧，冷却后得到白色长余辉发光材料。本发明Zn2GeO4经254nm的紫外灯激发后，具有横跨400nm到700nm的带状余辉光谱，肉眼观察发射出白色光，去掉光源后材料依旧发射白色的长余辉。材料的色纯度较好、余辉性能优异，材料合成方法简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN101866983B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201010173492.6
申请日：2010-05-10
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。
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公开(公告)号：CN102513533B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110456075.7
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料及其制备方法，涉及单层石墨烯及其衍生物制备领域，是一种在水溶液中制备单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料的制备方法。适用于生物检测，有害气体探测等领域。解决了现有的制备方法繁杂、对所需设备要求高、使用有机物造成污染的问题。该复合材料的组份含量为：金纳米颗粒的质量分数为28％～50％；单层石墨烯的质量分数为50％～72％。该制备方法包括：步骤一利用高锰酸钾与浓硫酸混合氧化石墨制备单层氧化石墨烯溶液，并干燥成粉末；步骤二单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料的悬浊液的制备；步骤三对步骤二中所得悬浊液进行离心，得到沉淀，即得到单层石墨烯/金纳米颗粒复合材料。
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公开(公告)号：CN101964397A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010256417.6
申请日：2010-08-18
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于NPB和BND的紫外光探测器，属于光电子信息领域，主要用于天体物理分析，太阳辐射和大气臭氧层研究，环境监测及预报，医疗卫生等领域。本发明是在ITO导电玻璃阳极(4)上依次真空蒸镀空穴传输材料NPB与电子传输材料BND的功能层(3)，氟化锂阴极修饰层(2)和铝金属薄膜阴极(1)。其中NPB和BND混合层的厚度为80～120nm，其质量比例4∶1。该紫外光探测器的探测范围为波长300～400nm的紫外光。该紫外光探测器具有成本低，工作电压低，简单易制，光电流产生的效率高，光电响应大的特点。
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公开(公告)号：CN101866983A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010173492.6
申请日：2010-05-10
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468662C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700-900℃下，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；步骤2，在400-500℃下，生长厚度为1-4nm的MgO柔性层；步骤3，在700-800℃下，退火处理10-30分钟；步骤4，在350-450℃下，生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；步骤6，在600-700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN100366127C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510012212.2
申请日：2005-07-18
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种有机薄膜电致发光器件，由依次在透明电极(1)上制备空穴传输层(2)、有机发光层(3)、无机电子传输层(6)、电子电势补偿层(4)和背电极(5)构成。无机电子传输层(6)由n型ZnS或n型ZnO制备，其厚度1nm-10nm。无机电子传输层(6)还能由其他的n型宽禁带无机材料：n型CoO、n型GaN、n型BaO、n型MgO或n型AlN制备。这种结构能改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的互扩散，注入的空穴与电子的不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN101055843A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN1728905A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510012212.2
申请日：2005-07-18
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种有机薄膜电致发光器件，由依次在透明电极(1)上制备空穴传输层(2)、有机发光层(3)、无机电子传输层(6)、电子电势补偿层(4)和背电极(5)构成。无机电子传输层(6)由n型ZnS或n型ZnO制备，其厚度1nm－10nm。无机电子传输层(6)还能由其他的n型宽禁带无机材料：n型CoO、n型GaN、n型BaO、n型MgO或n型AlN制备。这种结构能改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的互扩散，注入的空穴与电子的不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度、效率和寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN107163936A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710322236.0
申请日：2017-05-09
Applicant: 北京交通大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种新型白色长余辉发光材料，所述材料的分子式为Zn2GeO4，主相结构属于菱方晶系。本发明采用高温固相法合成，将ZnO与GeO2研磨混匀后煅烧，冷却后得到白色长余辉发光材料。本发明Zn2GeO4经254nm的紫外灯激发后，具有横跨400nm到700nm的带状余辉光谱，肉眼观察发射出白色光，去掉光源后材料依旧发射白色的长余辉。材料的色纯度较好、余辉性能优异，材料合成方法简单、易于实现。
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