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公开(公告)号：CN105530002B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510830769.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 陈艳
Abstract: 本发明公开了一种时钟产生装置，时钟产生装置包括：基准电压产生模块和振荡电路模块；基准电压产生模块，由晶体管MP3、自动校验电路控制模块和电阻R1组成；自动校验电路控制模块由晶体管MN3、MN4、MN5、Switch1、Switch2组成；振荡电路模块由晶体管MN1、MN2、MP1、MP2；电容C1、C2；比较器COMP1、COMP2；D触发器FF组成。
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公开(公告)号：CN107977697A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711246849.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06K19/07
Abstract: 本发明公开了一种射频识别卡中的场强检测自适应能量耦合电路，包括：可变谐振频率电感电容谐振电路，整流电路，场强检测电路。当检测到射频识别卡工作在特定大场强时，通过射频识别卡中电感电容谐振电路失谐的方式，减少射频识别卡耦合得到的能量，避免多余能量进入芯片内部，进而避免芯片发热，提高射频识别卡的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN105530002A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510830769.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 陈艳
Abstract: 本发明公开了一种时钟产生装置和自动校验电路控制模块，时钟产生装置包括：基准电压产生模块和振荡电路模块；基准电压产生模块，由晶体管MP3、自动校验电路控制模块和电阻R1组成；自动校验电路控制模块由晶体管MN3、MN4、MN5、Switch1、Switch2组成；振荡电路模块由晶体管MN1、MN2、MP1、MP2；电容C1、C2；比较器COMP1、COMP2；D触发器FF组成。
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公开(公告)号：CN119182287A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411217623.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种供电电路包括：为了减少储能电容的使用，降低芯片成本，本发明电压检测电路通过检测储能电容电压以判断是否需要启动电荷泵，并采用PUMP将储能电容上的电压充到较高的电压值，存储更多的电荷量，同时降低PUMP对1‑Wire接口的噪声干扰；当需要启动电荷泵时，控制电路通过控制多个电荷泵分时启动，从而避免由于电荷泵同时启动造成功耗大、产生功耗峰值的情况。
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公开(公告)号：CN116758963A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310815581.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，所述写电压驱动电路包括：写电压产生模块，用于产生写电压；开关模块，根据第二控制信号和第三控制信号将所述写电压提供至所述存储电路；补偿模块，在第一控制信号变为无效状态开始的预设时间内，根据所述第一控制信号产生补偿电流，以下拉所述写电压。本申请提供的用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，可以降低控制信号切换时写电压不必要的高压状态，从而减少非目标存储单元的编程干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116168749A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310204047.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种嵌入式Flash存储器的驱动电路，嵌入式Flash存储器包括多个扇区，每个扇区包括至少一行的多个存储单元，各行存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线，各行存储单元的选择栅极连接于同一条选择栅线；各列存储单元的漏端连接于同一条位线，同一扇区的多个存储单元的源端连接于同一条源线，同一扇区中的多个存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线；驱动电路向选中扇区和非选中扇区提供相同的选择电压、相同的位线电压、相同的源线电压以及相同的阱区电压，向选中扇区和非选中扇区提供不同的控制电压。本公开可以降低非选中扇区的阱区电压和源线电压之间的压差以及控制电压和源线电压之间的压差从而减小擦除干扰。
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公开(公告)号：CN112859997B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110150549.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明为一种自校准的带隙基准电压三温TRIM的电路结构，应用于对基准电压温度系数要求较高的芯片中。随着芯片制造工艺进入纳米级，但电源电压往往不能同比例下降，导致MOS器件的漏电越来越严重。但是器件漏电模型的准确建立对工艺而言较为困难，目前许多工艺的器件漏电模型都不够准确。由于漏电大小受温度影响，漏电对带隙基准参考电压的温度系数产生了不可忽视的影响。漏电模型不够准确，带隙基准电路的设计遭遇了温度系数仿真结果与实际芯片测试结果差异很大的问题。这就需要在测试过程中对，带隙基准电压的温度系数进行trim。本设计提出了一种具有offset自校准功能的，实现带隙基准电压在高温、常温、低温进行温度系数TRIM的低成本方案。
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公开(公告)号：CN109302182B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201810978847.5
申请日：2018-08-27
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种采用时间数字转换器(TDC)的RC时间常数校正电路。在集成电路设计领域中，尤其是是射频模拟和数模混合信号集成电路设计中，由于工艺、电压和温度(PVT)的偏差，造成RC时间常数非常的离散，这样就不可避免的需要对RC时间常数进行校正，尤其是像模拟滤波器电路中，带宽的大小和RC时间常数直接相关。TDC通过比较参考时钟周期和由RC时间常数产生的周期中的差值来对RC时间常数进行调整，最终使得RC时间常数为所期望的值。本发明电路通过采用TDC来进行时间常数比较，能够快速的校正得到所期望的值，从而缩短了校正时间，减少了功耗。
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公开(公告)号：CN113922801A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111336421.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种多电压域开关控制集成电路，电路使用以1.5V为电源的输入信号来控制传输10V的高电压。工作时，此开关电路有两条传输通路，其中一条通路传输0～2.5V电压范围，另一条通路传输8～12V电压范围，此开关电路涉及多种不同的电压值，因此需要精确控制才能正常传输。本发明电路包括三个MOS开关管、三个开关控制电路：所述MOS开关管导通时可以传输正确的电压，关闭时电压不能传输为截止状态；所述开关控制电路为电平移位器功能的电路，其输出信号施加在MOS开关管的栅极来控制MOS开关管的导通或者关闭，本发明的优点在于采用此结构传输高电压时对高电压的时序无约束。
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公开(公告)号：CN106655741A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610750072.7
申请日：2016-08-29
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种应用于真随机数发生器的电源隔离电路。在智能卡芯片中，由于安全性的需求，需要一个真随机数发生器，而现在的真随机数发生器理论和实现最成熟的就是基于电阻热噪声的低频采高频结构。这个结构对低频振荡器和高频振荡器的电源隔离和抗干扰性有这很高的要求。本电源隔离电路由稳压模块、隔离模块和基准产生模块三部分组成；本发明可以将外界干扰幅度降低100倍左右，在实际应用中可有效降低电源干扰对随机数的影响，保证随机数的随机性。
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