公开(公告)号：CN116896971A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310206520.7

申请日：2023-03-03

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 古田裕典 ,  小酒达 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  石川琢磨 ,  北岛由隆

IPC: H10N30/50 ,  H10N30/87 ,  H10N30/05

Abstract: 压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。

公开(公告)号：CN115732530A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210942482.7

申请日：2022-08-08

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 石川琢磨 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  古田裕典 ,  小酒达 ,  中井佑亮 ,  十文字伸哉 ,  松尾元一郎 ,  高桥千优 ,  川田宽人 ,  篠原悠贵 ,  饭野皓宏

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: 发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。