公开(公告)号：CN106165073A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018723.7

申请日：2015-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/283 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，所述半导体基板具有：基板；所述基板上的初始层；高电阻层，其由所述初始层上的氮化物系半导体构成，且包含碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体构成；并且，所述半导体基板的制造方法的特征在于，在形成所述高电阻层的步骤中，使对所述半导体基板进行加热的设定温度具有梯度，并且以将高导电层形成开始时的所述设定温度与高电阻层形成结束时的所述设定温度设为不同温度的方式，来形成所述高电阻层。由此，提供一种半导体基板的制造方法，其能够降低高电阻层中的碳浓度的浓度梯度，并且能够将碳浓度设在所期望的值。

公开(公告)号：CN106165072A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018718.6

申请日：2015-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种半导体基板，其具有：基板；所述基板上的缓冲层；高电阻层，其由所述缓冲层上的氮化物系半导体所构成且包含过渡金属和碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体所构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层具有减少层，所述减少层邻接于所述通道层，并且所述过渡金属浓度是自所述缓冲层侧朝向所述通道层侧减少；并且，碳浓度朝向所述通道层减少的减少率，比所述过渡金属浓度朝向所述通道层减少的减少率更大。由此，提供一种半导体基板，其能够一面降低通道层内的碳浓度和过渡金属浓度，一面谋求高电阻层的通道层侧区域的高电阻化。

公开(公告)号：CN107112242B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201580072647.8

申请日：2015-12-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

公开(公告)号：CN105247665A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480031054.2

申请日：2014-05-02

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明是一种半导体装置，其特征在于，其具有：硅系基板；第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多。由此，提供一种半导体装置，其可减低施加在缓冲层上的应力，并抑制漏电流、改善有源层顶面的平坦性。

公开(公告)号：CN105247658A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480031048.7

申请日：2014-05-02

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/157 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明是一种半导体基板，其特征在于，其具有：硅系基板；缓冲层，该缓冲层设于前述硅系基板上，且由含有硼的氮化物系半导体所构成；及，有源层，该有源层被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少。由此，本发明提供一种半导体基板，其在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。

公开(公告)号：CN106233440B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201580020389.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  萩本和德 ,  土屋庆太郎

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种半导体基板，具有：基板；缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层，具有：第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，第二区域，设置于所述第一区域和所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。从而，提供一种半导体基板，能够一边维持高电阻层的高电阻一边提高结晶性，从而来降低漏泄电流，并且也提高被形成在所述半导体基板上的沟道层的结晶性，因而能够抑制沟道层中的电子迁移率的降低和电流坍塌的发生等。

公开(公告)号：CN106165073B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201580018723.7

申请日：2015-03-05

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，所述半导体基板具有：基板；所述基板上的初始层；高电阻层，其由所述初始层上的氮化物系半导体构成，且包含碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体构成；并且，所述半导体基板的制造方法的特征在于，在形成所述高电阻层的步骤中，使对所述半导体基板进行加热的设定温度具有梯度，并且以将高导电层形成开始时的所述设定温度与高电阻层形成结束时的所述设定温度设为不同温度的方式，来形成所述高电阻层。由此，提供一种半导体基板的制造方法，其能够降低高电阻层中的碳浓度的浓度梯度，并且能够将碳浓度设在所期望的值。

公开(公告)号：CN105264644A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031035.X

申请日：2014-05-02

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明是一种硅系基板，其用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，其特征在于，其具有：第一部分，该第一部分具有第一杂质浓度且位于所述硅系基板的表面侧；及，第二部分，该第二部分具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于所述硅系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×1014原子/原子cm3以上且未满1×1019原子/cm3。由此，提供一种硅系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。

公开(公告)号：CN108886000A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680081872.2

申请日：2016-02-26

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 该半导体基体的特征在于具有：硅系基板；硅系基板上的缓冲层，所述缓冲层包括反复配置的一层，其中第一层由包含第一材料的氮化物系化合物半导体形成，第二层由包含第二材料的氮化物半导体形成，所述第二材料的晶格常数比第一材料大；以及通道层，其由包含第二材料的氮化物系化合物半导体形成，所述通道层形成在缓冲层上。半导体基体的特征还在于：缓冲层具有作为第一层上的至少一层，所述一层位于第一层和第二层之间，第一组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第一组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第二材料组成比例，以及在向上方向上逐渐减小的第一材料组成比例，并且，作为在所述第二层上的至少一层，所述一层在第二层和第一层之间，第二组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第二组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第一材料组成比例，和向上方向上逐渐减少的第二材料组成比例；第一组成倾斜层比第二组成倾斜层厚。因此，提供了即使在多层缓冲层的层之间提供组成倾斜层的情况下也能够抑制结晶度劣化和裂缝长度增加的半导体基体，所述组成倾斜层的晶格常数变化量大于0.7％/nm。