公开(公告)号：CN101027755A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032510.6

申请日：2005-09-16

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  能登宣彦 ,  三谷清

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B33/06 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694

Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片的制造方法，其包含：至少在SOI晶片上，先磊晶成长Si1－XGeX层(0＜X＜1＝，然后在该已经磊晶成长后的Si1－XGeX层上，形成Si1－YGeY层(0≤Y＜X)后，通过氧化热处理，浓缩上述磊晶成长后的Si1－XGeX层的Ge，而作成浓缩SiGe层的步骤；上述氧化热处理，至少是在氧化性气氛下，从950℃以下开始，在升温至950℃的期间，以使上述形成的Si1－YGeY层残存的方式，使Si1－YGeY层氧化。藉此，利用短时间的热处理，便能够充分地进行SGOI晶片的SiGe层的晶格弛豫，而能够提供一种能够降低制造成本的半导体晶片的制造方法。

公开(公告)号：CN103299395A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180061352.2

申请日：2011-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  冈哲史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。

公开(公告)号：CN102326227A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008682.0

申请日：2010-01-08

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，从结合晶片的表面，离子注入气体离子而形成离子注入层，然后经由绝缘膜将此结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面贴合，并以离子注入层为界来剥离结合晶片，由此制作SOI晶片，其特征在于，具有下述步骤：将以离子注入层为界来剥离结合晶片之前的贴合晶片，浸渍于可溶解绝缘膜的液体中，或者暴露于可溶解绝缘膜的气体中，以此从贴合晶片的外周端，朝向中心方向，蚀刻位于结合晶片与基体晶片之间的绝缘膜。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，所述SOI晶片的制造方法可控制使用离子注入剥离法来剥离时所产生的平台宽度，并且可防止会造成良率下降的平台部SOI岛的产生。

公开(公告)号：CN100508125C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580032510.6

申请日：2005-09-16

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  能登宣彦 ,  三谷清

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B33/06 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694

Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片的制造方法，其包含：至少在SOI晶片上，先磊晶成长Si1-XGeX层(0＜X＜1)，然后在该已经磊晶成长后的Si1-XGeX层上，形成Si1-YGeY层(0≤Y＜X)后，通过氧化热处理，浓缩上述磊晶成长后的Si1-XGeX层的Ge，而作成浓缩SiGe层的步骤；上述氧化热处理，至少是在氧化性气氛下，从950℃以下开始，在升温至950℃的期间，以使上述形成的Si1-YGeY层残存的方式，使Si1-YGeY层氧化。藉此，利用短时间的热处理，便能够充分地进行SGOI晶片的SiGe层的晶格弛豫，而能够提供一种能够降低制造成本的半导体晶片的制造方法。

公开(公告)号：CN101124657A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580048490.1

申请日：2005-11-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 武井时男 ,  吉泽重幸 ,  宫崎进 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1748312A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003455.3

申请日：2004-02-13

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  高野清隆 ,  三谷清

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/26533

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。