公开(公告)号：CN1531478A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN02806115.2

申请日：2002-01-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫

IPC: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  F24C15/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种加热设备20包括在其中形成有工件安放空间1的容器2，以及对工件安放空间1中的工件W进行加热的热源3。所述设备进一步包括热射线反射部件10，所述热射线反射部分10具有由热射线反射材料构成的热反射表面10a，使之允许使工件安放空间1中产生的热射线在热反射表面10a上反射，从而改变热射线的方向朝向工件W。用于在特定波长波段中反射热射线的热射线反射材料包括多个单元反射层的叠层，所述单元反射层包括对于热射线具有透明特性的材料，其中，在单元反射层中，由对于热射线的折射率相互不同的材料的组合来构成两个相邻层，同时保持1.1或更大的折射率之间的差异。

公开(公告)号：CN1406291A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805759.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  山田透

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明涉及一种切克劳斯基法(CZ法)的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶生长。藉此，提供一种即使成长具300mm以上直径的硅单晶，也可对成长中的单晶发挥最大限度的冷却效果，以提供结晶成长速度高速化的单晶生长方法及单晶生长装置。

公开(公告)号：CN1288443A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802262.4

申请日：1999-11-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  米永一郎 ,  五十岚哲也

IPC: C01B33/06 ,  C30B29/10 ,  C30B15/00 ,  H01L35/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/52

Abstract: 提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的SiGe材料。构成晶体的晶粒的大小在5×10－5mm3以上。

公开(公告)号：CN112951932A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011203371.1

申请日：2020-11-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  大槻刚

IPC: H01L31/0288 ,  H01L27/146 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN1265030C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN01805759.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  山田透

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明涉及一种切克劳斯基法(CZ法)的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶生长。藉此，提供一种即使成长具300mm以上直径的硅单晶，也可对成长中的单晶发挥最大限度的冷却效果，以提供结晶成长速度高速化的单晶生长方法及单晶生长装置。

公开(公告)号：CN1241731C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN02806115.2

申请日：2002-01-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫

IPC: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  F24C15/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种加热设备20包括在其中形成有工件安放空间1的容器2，以及对工件安放空间1中的工件W进行加热的热源3。所述设备进一步包括热射线反射部件10，所述热射线反射部分10具有由热射线反射材料构成的热反射表面10a，使之允许使工件安放空间1中产生的热射线在热反射表面10a上反射，从而改变热射线的方向朝向工件W。用于在特定波长波段中反射热射线的热射线反射材料包括多个单元反射层的叠层，所述单元反射层包括对于热射线具有透明特性的材料，其中，在单元反射层中，由对于热射线的折射率相互不同的材料的组合来构成两个相邻层，同时保持1.1或更大的折射率之间的差异。

公开(公告)号：CN1130308C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN99802262.4

申请日：1999-11-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  米永一郎 ,  五十岚哲也

IPC: C01B33/06 ,  C30B29/10 ,  C30B15/00 ,  H01L35/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/52

Abstract: 提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的SiGe材料。构成晶体的晶粒的大小在5×10-5mm3以上。