公开(公告)号：CN1288443A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802262.4

申请日：1999-11-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  米永一郎 ,  五十岚哲也

IPC: C01B33/06 ,  C30B29/10 ,  C30B15/00 ,  H01L35/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/52

Abstract: 提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的SiGe材料。构成晶体的晶粒的大小在5×10－5mm3以上。

公开(公告)号：CN1130308C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN99802262.4

申请日：1999-11-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿部孝夫 ,  米永一郎 ,  五十岚哲也

IPC: C01B33/06 ,  C30B29/10 ,  C30B15/00 ,  H01L35/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/52

Abstract: 提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的SiGe材料。构成晶体的晶粒的大小在5×10-5mm3以上。