公开(公告)号：CN118176329A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280067121.0

申请日：2022-08-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  萩本和德 ,  石崎顺也 ,  阿部达夫 ,  铃木温 ,  松原寿树

IPC: C30B29/62 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种异质外延膜的制作方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶Si基板上异质外延生长后将其剥离的异质外延膜的制作方法，该制作方法包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳与硅的源气体，一边在1333Pa以下、300～950℃以下的条件下进行SiC的核形成的第二工序；在1333Pa以下、800℃以上且小于1200℃的条件下形成3C‑SiC单晶膜并且在3C‑SiC单晶膜正下方形成空位的第三工序；及利用空位剥离3C‑SiC单晶膜从而制作异质外延膜的第四工序。由此，提供一种对器件造成的损伤少且减少材料的损失而效率良好地得到薄膜状的异质外延膜的方法。

公开(公告)号：CN118043947A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280064800.2

申请日：2022-09-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木温 ,  水泽康 ,  松原寿树 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在该吸杂外延膜上形成硅外延膜。由此，提供一种低成本且低污染的含有碳的外延片及用以制造该外延片的方法。