公开(公告)号：CN111615741A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980008674.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  五十岚健作 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。由此，提供一种即使减少研磨步骤也能抑制表面缺陷的增加并且改善平坦度的硅晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN108290266B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201680067980.4

申请日：2016-11-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  佐藤三千登 ,  石井熏

IPC: B24B37/015 ,  B24B49/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨方法，具有研磨步骤，在对贴附于定盘的研磨布供给研磨浆的同时，通过将以研磨头支承的晶圆予以滑接于该研磨布的表面，而研磨该晶圆的表面，该研磨方法包含：相关关系导出步骤，于进行该研磨步骤之前，预先求得该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系，其中在该研磨步骤之中，在基于该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系而控制该研磨布的表面温度的同时，研磨该晶圆。由此在晶圆的研磨之中能抑制雾度，并且由此能延长研磨布的寿命。