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公开(公告)号：CN108140540A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680049584.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN108138358A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680052879.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN118541876A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280083505.1
申请日：2022-10-21
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01Q23/00 , C01B32/184 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01P11/00 , H01Q1/38
Abstract: 提供一种适合用于从数10GHz至100GHz以上的信号频带的天线模块。所述天线模块包括：其中至少最上表面为碳化硅的单晶的基板；设置为与基板的最上面接触的单晶石墨烯层；和设置在基板上的氮化镓层。该天线模块的特征在于，通过将石墨烯层中未被氮化镓层覆盖的区域图案化而形成的天线元件部、在氮化镓层上形成的有源元件部、和连接天线元件部和有源元件部的连接部一体地形成。
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公开(公告)号：CN110140192B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201780081147.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。
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公开(公告)号：CN110140192A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780081147.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103676460A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310394876.4
申请日：2013-09-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在减轻入射EUV光的减少的同时，有具有高强度的的EUV用防尘薄膜组件。本发明为一种具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状（高度方向截面形状）为越远离EUV透过膜，前端越细的形状。
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公开(公告)号：CN102687272A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059990.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/86 , H01L21/76254 , H01L29/78603 , H01L29/78657
Abstract: 提供一种应力减小的SOS基板。该SOS基板是包括蓝宝石基板和在该蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜的蓝宝石上硅(SOS)基板。在该SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的该SOS基板的硅膜的应力为2.5×108Pa或更小。
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公开(公告)号：CN102246267A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150180.9
申请日：2009-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供了一种制造低成本结合晶片(8)的方法，该方法能使宽带隙半导体(1)的块状晶体尽量薄地转印到处理基板(3)上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板(3)的表面上形成宽带隙半导体薄膜层(4)来制造结合晶片(8)，该方法包括以下步骤：从具有2.8eV以上的带隙的宽带隙半导体(1)的表面(5)注入离子来形成离子注入层(2)；对所述处理基板(3)的所述表面或所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入表面(5)中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体(1)的所述表面(5)和所述处理基板(3)的所述表面来获得结合体(6)；对所述结合体(6)进行150℃-400℃的热处理；以及从所述结合体(6)的所述半导体基板(1)侧向所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入层(2)照射可见光，以使所述离子注入层(2)的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体薄膜层(4)转印到所述处理基板(3)上。
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公开(公告)号：CN101262029B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810083479.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/056 , H01L21/76254 , H01L31/03921 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
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公开(公告)号：CN101981654A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111732.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。
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