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公开(公告)号：CN118234889A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074162.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，所述制造方法的特征在于，具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层或层叠膜构成的中间层的工序，所述制造方法中，采用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种衬底基板的制造方法，其能够使适合于电气·磁力设备，具有大面积(大口径)、高结晶性且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等较少、高纯度且低应力的高品质的单晶金刚石层制膜。
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公开(公告)号：CN109659225A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN108788449A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/7813 , B23K26/0006 , B32B43/006 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02414 , H01L21/02527 , B23K26/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN102296362B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110177039.7
申请日：2011-06-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B25/18
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/183 , Y10T428/263 , Y10T428/266 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的，以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。具体地说，本发明提供了一种单晶金刚石生长用基体材料，其特征在于所述基体材料包括：由线膨胀系数比MgO要小，且为0.5×10-6/K以上的材料构成的基本基体材料；在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧，用贴合法形成的单晶MgO层；以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。
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公开(公告)号：CN110246758B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910177308.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚
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公开(公告)号：CN115555743A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210772090.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；从激光聚光部(190)朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，在晶块(10)的一部分区域，从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21)和从该加工痕(21)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22)的改性层(20)的工序；以及从改性层(20)至晶块(10)的上表面(10a)的剩余区域的规定深度，使开裂自发地传播而形成开裂面(25)的工序。
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公开(公告)号：CN110246758A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910177308.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN103572248B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310337976.3
申请日：2013-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C23C16/27 , C23C16/517
CPC classification number: C30B25/16 , C23C16/27 , C23C16/272 , C23C16/515 , C23C16/517 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/183 , C30B29/04 , H01J37/32027 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/3321
Abstract: 通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。
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公开(公告)号：CN101775648A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910253987.7
申请日：2009-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明以低成本提供：金刚石和单晶基板不会破损，且具有面积大、结晶性高的单晶金刚石膜作为连续膜的层积基板及其制造方法。该层积基板是至少具有单晶基板和在该单晶基板上化学气相沉积的金刚石膜的层积基板，其特征在于，上述单晶基板是Ir单晶或Rh单晶。该层积基板的制造方法的特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序，并且上述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶。
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公开(公告)号：CN101054720A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710085883.0
申请日：2007-03-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B25/18 , C30B29/04 , H01L21/0242 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 一种能更确实地使单结晶钻石成长的单结晶钻石成长用基材的制造方法。一种单结晶钻石成长用基材的制造方法，包含对于钻石成长前的基材预先进行偏压处理，通过以基材侧电极作为阴极的直流放电而形成钻石核，其特征在于：该处理中，至少保持偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止的基材温度为800℃±60℃。
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