基板的制备方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106141918A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610317737.5

    申请日:2016-05-13

    Abstract: 本发明涉及基板的制备方法。本发明提出基板的制备方法、特别是合成石英玻璃的基板的制备方法,同时使基板表面免于致命性缺陷而没有采取任何大规模装置和精密抛光板,由此与用常规设施制备相比,进一步减少缺陷和改善收率。通过抛光制备基板的方法,包括如下步骤:将基板原料各自放入下抛光板上的载体中形成的加工孔中;使上抛光板接触所述基板原料的表面,所述基板原料的表面涂覆有冲击吸收液并且使所述下抛光板旋转;和使所述上抛光板和下抛光板旋转,所述基板原料的表面伴有抛光浆料。

    用于回收氧化铈的方法

    公开(公告)号:CN103159250A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201210553192.X

    申请日:2012-12-19

    CPC classification number: C09K3/1409 C01F17/0043 C09G1/02

    Abstract: 本发明涉及一种用于回收氧化铈的方法。本发明特别涉及一种用于从主要由氧化铈组成的磨料废物回收氧化铈的方法,所述磨料废物源自玻璃衬底的抛光,所述方法包括以下步骤:(i)向磨料废物添加碱性物质的水溶液;(ii)向所得的溶液添加沉淀剂,从而形成主要由氧化铈组成的沉淀物,并且除去上清液;(iii)向所得的沉淀物添加酸性物质的溶液,从而使所述沉淀物为微酸性至中性;(iv)用有机溶剂洗涤该沉淀物;以及(v)干燥并且压碎沉淀物。该方法使将磨料废物再造成主要由氧化铈组成的纯磨料成为可能,可再使用该磨料来抛光与光掩模和中间掩模相关的半导体尖端技术的合成石英玻璃衬底。

    衬底及其制造方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117226680A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202310687732.1

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种衬底及其制造方法。本文中提供了用于制造适于EUVL的掩模坯料的衬底的方法,以及能够抑制深度小于5nm的凹陷缺陷的方法。本发明提供了制造衬底的方法,其中通过具有配备有抛光垫的上抛光板的抛光设备来进行最终抛光,所述方法包括以下步骤:将衬底原料放置在抛光设备中,使得该衬底原料的主表面朝向该上抛光板;旋转上抛光板并在衬底原料的主表面上与抛光浆料一起抛光该衬底原料;以及将保持旋转的上抛光板升高以使其与抛光的衬底原料的主表面分离。

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