公开(公告)号：CN105190835A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649

Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104488081A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。

公开(公告)号：CN101290872B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200810093348.4

申请日：2008-04-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。

公开(公告)号：CN101188258B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710193656.X

申请日：2007-11-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN101179054B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN102405440A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080017536.4

申请日：2010-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/62 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/64

Abstract: 本发明的光刻用防尘薄膜组件包括单晶硅防尘薄膜组件膜(10)，此防尘薄膜组件膜(10)由包含外框部(20a)和此外框部(20a)的内侧区域的多孔部(网状结构)(20b)的支撑部件(20)支撑着。另外，为了防止防尘薄膜组件膜(10)的表面氧化，而形成了被覆单晶硅膜露出在外部的部分的抗氧化膜(30a、30b)。支撑部件(20)是通过加工SOI基板的操作基板而获得的，单晶硅防尘薄膜组件膜(10)是由SOI基板的SOI层所获得。防尘薄膜组件膜(10)和支撑部件(20)牢固地结合在一起，所以可以确保充分的机械强度。

公开(公告)号：CN101587294A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910138995.7

申请日：2009-05-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  进藤敏彦

IPC: G03F1/14

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62

Abstract: 一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。

公开(公告)号：CN101414118A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810149932.7

申请日：2008-10-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  进藤敏彦

IPC: G03F1/14

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备实用的EUV用防护薄膜，该薄膜具有优异的高透光性与化学安定性。本发明之防护薄膜组件10，使用对13.5nm波长的光的吸收系数在0.005/nm以下的硅结晶膜作为防护薄膜11。因为硅结晶膜是间接跃迁型的半导体膜，故光吸收系数相对比较低，特别是单结晶硅膜，跟非晶质硅膜或多结晶硅膜比较起来吸收系数更低，故能轻易满足EUV用防护薄膜所需要的透光率。该等防护薄膜可从薄膜化SOI基板(包含SOQ基板或SOG基板)所得到的SOI膜制得。若从SOI基板制得硅结晶膜的防护薄膜的话，在防护薄膜形成过程中不会受到过度的应力，而且是在室温程度的温度下形成防护薄膜，亦不至造成应变。

公开(公告)号：CN101174595A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185125.6

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  古屋昌浩 ,  川合信 ,  田中好一 ,  久保田芳宏 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN118475733A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086720.7

申请日：2022-10-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供能够高特性且廉价地制作第III族氮化物的单晶的第III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法。本发明的第III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷构成的芯被厚度0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置于支承基板的上表面且具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；单晶的晶种层，其设置于平坦化层的上表面且具有0.04μm以上且小于0.10μm的厚度；以及根据需要的应力调整层，其设置于支承基板的下表面。