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公开(公告)号：CN101571671A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910137734.3
申请日：2009-04-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学稳定性优异，且制造良品率高，成本低廉实用。为达成上述目的，本发明之防护薄膜组件以硅单晶膜为防护薄膜，该硅单晶膜以自属于{100}面群和{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3～5°的晶面为主面。由于以该等晶面为主面的硅单晶，跟 方位的硅单晶相比，其有效键结密度或杨氏系数高出40～50％左右，故不易发生解理或龟裂等问题。又，耐氢氟酸性等的化学耐性很高而不易发生腐蚀陷斑或孔隙等缺陷。
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公开(公告)号：CN101587294B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910138995.7
申请日：2009-05-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。
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公开(公告)号：CN101587294A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910138995.7
申请日：2009-05-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/14
Abstract: 一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。
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公开(公告)号：CN101414118A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810149932.7
申请日：2008-10-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备实用的EUV用防护薄膜，该薄膜具有优异的高透光性与化学安定性。本发明之防护薄膜组件10，使用对13.5nm波长的光的吸收系数在0.005/nm以下的硅结晶膜作为防护薄膜11。因为硅结晶膜是间接跃迁型的半导体膜，故光吸收系数相对比较低，特别是单结晶硅膜，跟非晶质硅膜或多结晶硅膜比较起来吸收系数更低，故能轻易满足EUV用防护薄膜所需要的透光率。该等防护薄膜可从薄膜化SOI基板(包含SOQ基板或SOG基板)所得到的SOI膜制得。若从SOI基板制得硅结晶膜的防护薄膜的话，在防护薄膜形成过程中不会受到过度的应力，而且是在室温程度的温度下形成防护薄膜，亦不至造成应变。
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