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公开(公告)号：CN105629664B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510827923.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型正型抗蚀剂膜，该化学增幅型正型抗蚀剂膜包含：(A)包含在芳环上具有特定的取代基的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物；(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂；(C)产酸剂；和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜在时效稳定性和抗静电膜接受性上得到改善。
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公开(公告)号：CN106054529A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610212743.4
申请日：2016-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型负型抗蚀剂膜，该化学增幅型负型抗蚀剂膜包括(A)包含特定结构的重复单元和具有氟的重复单元的聚合物，(B)适于在酸的作用下降低其在碱显影剂中的溶解性的基础树脂，(C)产酸剂，和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜对于抗静电膜的接受性得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105629664A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510827923.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型正型抗蚀剂膜，该化学增幅型正型抗蚀剂膜包含：(A)包含在芳环上具有特定的取代基的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物；(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂；(C)产酸剂；和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜在时效稳定性和抗静电膜接受性上得到改善。
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公开(公告)号：CN111123651B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911044993.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及基板保护膜形成用组合物和图案形成方法。包括下述组分的组合物适于形成基板与抗蚀剂膜之间的保护膜：(A)聚合物，其包含具有用酸不稳定基团保护的羧基的重复单元(a1)和具有环状酯、环状碳酸酯或环状磺酸酯结构的重复单元(a2)，(B)热致产酸剂，和(C)有机溶剂。即使使用含有金属的抗蚀剂膜，该保护膜对于防止该基板被金属污染也有效。
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公开(公告)号：CN112782934A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011216447.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
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公开(公告)号：CN109324478A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810854838.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案形成方法。包含经由连接基键合至聚合物骨架的具有在侧链端的高度稠合的高金刚烷骨架的单元的聚合物具有适当的溶剂溶解度并且能够抑制酸扩散。包含所述聚合物和特定的光致产酸剂的抗蚀剂组合物显示出良好的DOF边限、CD均匀性和在PPD期间最小的CD改变，并且在精确微图案化方面相当有效。
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