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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1124365C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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公开(公告)号：CN1429654A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02158805.8
申请日：2002-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B01D53/1406 , B01D53/1412 , B01D53/1456
Abstract: 以在第1塔中的处理液不变成酸性的方式减少填充料，减少的那部分填充料转到第5塔中以便同时控制除害和析出。还有，在第1塔和第2塔之间的连接配管内部，设置多个雾化喷嘴，控制析出反应。由此，在湿式气体处理装置中，可以防止处理塔之间的连接配管内部和处理塔内部产生析出物、堵塞连接配管。
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公开(公告)号：CN1163944A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97104502.X
申请日：1997-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/481 , C23C16/545
Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是，大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1158912A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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公开(公告)号：CN1049530A
公开(公告)日：1991-02-27
申请号：CN90106810.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。
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