公开(公告)号：CN1181222C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN97104502.X

申请日：1997-03-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 吉田耕平 ,  越前裕 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  吉野豪人 ,  田中雅敏

IPC: C23C16/52

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/481 ,  C23C16/545

Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。

公开(公告)号：CN1163944A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97104502.X

申请日：1997-03-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 吉田耕平 ,  越前裕 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  吉野豪人 ,  田中雅敏

IPC: C23C16/52

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/481 ,  C23C16/545

Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是，大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。

公开(公告)号：CN1291062C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01117434.X

申请日：2001-04-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 伊泽博司 ,  越前裕 ,  大利博和 ,  田中雅敏

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/4401 ,  G01M3/002

Abstract: 薄膜淀积设备或工艺，用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气；在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体；施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜；温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热，依据温度传感器的测量值来检漏，从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中，当因意外事故，如管道破裂，而致空气进入真空室时，能迅速检漏，因而能使用自燃性气体。

公开(公告)号：CN1323917A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN01117434.X

申请日：2001-04-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 伊泽博司 ,  越前裕 ,  大利博和 ,  田中雅敏

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/4401 ,  G01M3/002

Abstract: 薄膜淀积设备或工艺,用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气;在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体;施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜;温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热,依据温度传感器的测量值来检漏,从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中,当因意外事故,如管道破裂,而致空气进入真空室时,能迅速检漏,因而能使用自燃性气体。