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公开(公告)号：CN107785384B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201710720826.9
申请日：2017-08-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置和照相机。光电转换装置包括具有光电转换单元和布置在转换单元上方的微透镜阵列的光电转换基板，光透射板，布置在光电转换基板和光透射板之间的第一构件，并且第一构件将光电转换基板和光透射板接合，以及布置在第一构件和微透镜阵列之间的第二构件。第二构件具有低于微透镜阵列的折射率或高于微透镜阵列的孔隙率中的至少一个。第一构件的在光电转换基板的一侧的面具有从多个光电转换单元上的一部分到光电转换装置的侧面的多个台阶。
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公开(公告)号：CN110137190A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910110245.2
申请日：2019-02-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光电转换设备和装置。光电转换设备包括：半导体层，其具有正面和背面并且在所述正面与所述背面之间设置有多个光电转换部；配线结构，其配置于所述半导体层的所述正面侧；分离部，其配置在多个所述光电转换部之间并且由与所述背面连续的沟槽形成；第一遮光部，其以与所述分离部重叠的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方；以及第二遮光部，其以隔着配置在多个所述光电转换部中的至少一个光电转换部上方的区域面向所述第一遮光部的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方。
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公开(公告)号：CN107785384A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710720826.9
申请日：2017-08-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H04N9/045 , H01L27/14645
Abstract: 公开了光电转换装置和照相机。光电转换装置包括具有光电转换单元和布置在转换单元上方的微透镜阵列的光电转换基板，光透射板，布置在光电转换基板和光透射板之间的第一构件，并且第一构件将光电转换基板和光透射板接合，以及布置在第一构件和微透镜阵列之间的第二构件。第二构件具有低于微透镜阵列的折射率或高于微透镜阵列的孔隙率中的至少一个。第一构件的在光电转换基板的一侧的面具有从多个光电转换单元上的一部分到光电转换装置的侧面的多个台阶。
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公开(公告)号：CN104808266B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510031490.6
申请日：2015-01-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02B3/00 , G03F9/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0018 , G02B3/0043 , H01L27/14627
Abstract: 本公开内容涉及微透镜形成方法和固态图像传感器制造方法。一种微透镜形成方法包括：对第一构件和布置在第一构件上的第二构件进行蚀刻，第二构件包括凹凸形状；并且从第一构件形成微透镜，其中，在第一构件的蚀刻速率高于第二构件的蚀刻速率的条件下执行第一构件和第二构件的蚀刻，第一构件在凹部下面的部分在第二构件的蚀刻期间暴露，并且第一构件的曝光部分在第一构件的蚀刻时移除。
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公开(公告)号：CN104808266A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510031490.6
申请日：2015-01-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02B3/00 , G03F9/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0018 , G02B3/0043 , H01L27/14627
Abstract: 本公开内容涉及微透镜形成方法和固态图像传感器制造方法。一种微透镜形成方法包括：对第一构件和布置在第一构件上的第二构件进行蚀刻，第二构件包括凹凸形状；并且从第一构件形成微透镜，其中，在第一构件的蚀刻速率高于第二构件的蚀刻速率的条件下执行第一构件和第二构件的蚀刻，第一构件在凹部下面的部分在第二构件的蚀刻期间暴露，并且第一构件的曝光部分在第一构件的蚀刻时移除。
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公开(公告)号：CN103928480A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410020040.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取设备及其制造方法。当在各滤色器之间形成中空部时，为了实现具有较窄宽度的中空部的形成，在半导体基板的上表面上形成多个光接收部，在半导体基板之上形成与各光接收部对应的多个滤色器，在各滤色器上形成光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的侧表面上形成侧壁，以及通过至少使用该侧壁作为掩模执行蚀刻来在各滤色器之间形成中空部。
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公开(公告)号：CN102122115A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110000210.7
申请日：2011-01-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F1/00 , G02B3/00 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/0005 , B29D11/00298 , G03F1/50 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及光掩模数据的产生方法、光掩模的制作方法、具有微透镜阵列的固态图像传感器及微透镜阵列的制造方法。提供一种产生用于制作微透镜阵列的光掩模数据的方法，该光掩模在包含周边区域和主区域的各矩形区域中具有包含遮光部分和非遮光部分的微透镜图案，该周边区域具有矩形区域的四个边作为外边缘，该主区域具有作为周边区域的内边缘的边界，该周边区域由分别包含所述四个边中的一个作为其一部分的四个条带区域构成，并且，所述外边缘和所述内边缘之间的宽度不大于曝光用光的波长的1/2，该方法包括确定周边区域中的遮光部分和非遮光部分的布局，使得遮光部分的密度被设为落在0％～15％的范围内。
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公开(公告)号：CN110137190B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910110245.2
申请日：2019-02-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光电转换设备和装置。光电转换设备包括：半导体层，其具有正面和背面并且在所述正面与所述背面之间设置有多个光电转换部；配线结构，其配置于所述半导体层的所述正面侧；分离部，其配置在多个所述光电转换部之间并且由与所述背面连续的沟槽形成；第一遮光部，其以与所述分离部重叠的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方；以及第二遮光部，其以隔着配置在多个所述光电转换部中的至少一个光电转换部上方的区域面向所述第一遮光部的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方。
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公开(公告)号：CN110416425B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910324802.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 有机器件和有机器件的制造方法。该器件包括依次堆叠的第一层、密封层和树脂层，并且设置有在像素区域中配置在第一层和密封层之间的有机功能层。在周边区域中第一层、密封层和树脂层具有用于使电极露出的开口。密封层包括第二层、第三层和第四层，第二层和第三层的透水率均低于第一层，第四层配置在第二层和第三层之间并且具有比第二层低的缺陷密度。第二层的配置在第一层的开口的端部上方的台阶被第四层覆盖，第三层的配置在第一层的开口的端部上方的台阶被树脂层覆盖。
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公开(公告)号：CN110416425A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910324802.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 有机器件和有机器件的制造方法。该器件包括依次堆叠的第一层、密封层和树脂层，并且设置有在像素区域中配置在第一层和密封层之间的有机功能层。在周边区域中第一层、密封层和树脂层具有用于使电极露出的开口。密封层包括第二层、第三层和第四层，第二层和第三层的透水率均低于第一层，第四层配置在第二层和第三层之间并且具有比第二层低的缺陷密度。第二层的配置在第一层的开口的端部上方的台阶被第四层覆盖，第三层的配置在第一层的开口的端部上方的台阶被树脂层覆盖。
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