公开(公告)号：CN103928480B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410020040.2

申请日：2014-01-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 栗原政树 ,  下山大辅 ,  伊藤正孝 ,  渡边杏平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明公开了固态图像拾取设备及其制造方法。当在各滤色器之间形成中空部时，为了实现具有较窄宽度的中空部的形成，在半导体基板的上表面上形成多个光接收部，在半导体基板之上形成与各光接收部对应的多个滤色器，在各滤色器上形成光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的侧表面上形成侧壁，以及通过至少使用该侧壁作为掩模执行蚀刻来在各滤色器之间形成中空部。

公开(公告)号：CN103928480A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410020040.2

申请日：2014-01-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 栗原政树 ,  下山大辅 ,  伊藤正孝 ,  渡边杏平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明公开了固态图像拾取设备及其制造方法。当在各滤色器之间形成中空部时，为了实现具有较窄宽度的中空部的形成，在半导体基板的上表面上形成多个光接收部，在半导体基板之上形成与各光接收部对应的多个滤色器，在各滤色器上形成光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的侧表面上形成侧壁，以及通过至少使用该侧壁作为掩模执行蚀刻来在各滤色器之间形成中空部。

公开(公告)号：CN102956654A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210278323.8

申请日：2012-08-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒川三喜男 ,  伊藤正孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置的制造方法。提供形成限定半导体晶片上的活性区域的隔离区域的处理、在由隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件的处理、以及在光电转换元件上形成微透镜的处理。通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。

公开(公告)号：CN102956654B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201210278323.8

申请日：2012-08-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒川三喜男 ,  伊藤正孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置的制造方法。提供形成限定半导体晶片上的活性区域的隔离区域的处理、在由隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件的处理、以及在光电转换元件上形成微透镜的处理。通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。

公开(公告)号：CN1126148C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN99101819.2

申请日：1999-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 米原隆夫 ,  伊藤正孝

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76251

Abstract: 一种SOI衬底(1)的回收方法，该SOI衬底(1)具有半导体基板(2)和单晶半导体层(4)，且有夹在它们之间的绝缘层(3)，该方法包括去除单晶半导体层(4)的第一去除步骤和选择性去除绝缘层(3)的第二去除步骤。由此降低了在SOI衬底制造过程中降低了回收时基板厚度的减小量。

公开(公告)号：CN1234601A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99101819.2

申请日：1999-01-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 米原隆夫 ,  伊藤正孝

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/76259 ,  H01L21/76251

Abstract: 一种SOI衬底1的回收方法,该SOI衬底1具有半导体基板2和单晶半导体层4,且有夹在它们之间的绝缘层3,该方法包括去除单晶半导体层4的第一去除步骤和选择性去除绝缘层3的第二去除步骤。由此降低了在SOI衬底制造过程中降低了回收时基板厚度的减小量。

公开(公告)号：CN1225501A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98127197.9

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 伊藤正孝 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C30B31/10 ,  C30B33/005 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 提供一种新的热处理设备,该设备包括第一筒,位于其内的第2筒,以及加热器,并且在环境气体中在第2筒内对半导体工件热处理,其中至少第2筒的内工作面是由非氧化硅构成,并且第1筒是由琉态硅石构成。由此,氢气送入到晶片而不需要从被加热到高温的氧化硅构成的工作面上通过。该设备防止熔化石英筒作为污染源的对晶片的金属污染,还防止氧化硅和硅的反应造成的硅腐蚀。