公开(公告)号：CN102956654B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201210278323.8

申请日：2012-08-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒川三喜男 ,  伊藤正孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置的制造方法。提供形成限定半导体晶片上的活性区域的隔离区域的处理、在由隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件的处理、以及在光电转换元件上形成微透镜的处理。通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。

公开(公告)号：CN102956654A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210278323.8

申请日：2012-08-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒川三喜男 ,  伊藤正孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置的制造方法。提供形成限定半导体晶片上的活性区域的隔离区域的处理、在由隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件的处理、以及在光电转换元件上形成微透镜的处理。通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。