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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098210B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910094403.X
申请日：2019-01-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 庄山敏弘
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备。一种制造半导体装置的方法，包括在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽，通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域，以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的一侧形成第二沟槽。第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。
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公开(公告)号：CN116981291A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310447652.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10K59/12 , H10K59/124 , H10K59/38 , H10K71/00
Abstract: 提供了发光装置及其制造方法、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置和移动体。发光装置包括多个第一电极、定位在多个第一电极上方并包括发光层的有机层、定位在有机层上方的第二电极、以及将多个第一电极彼此分开的绝缘层。多个第一电极中的每一者的上表面包括与有机层接触的内侧区域以及与绝缘层接触的外侧区域。绝缘层包括限定内侧区域的开口和定位在远离开口并且与外侧区域重叠的位置处的台阶。
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公开(公告)号：CN108183113A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711289553.3
申请日：2017-12-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0288
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L21/04 , H01L21/0415 , H01L21/203 , H01L21/322 , H01L27/146 , H01L31/103 , H04N5/367 , H04N5/369 , H04N5/378 , Y02E10/50
Abstract: 本申请涉及光电转换设备、相机、制造半导体基板的方法以及制造光电转换设备的方法。该光电转换设备具有硅基板，该硅基板包括被配置为执行光电转换的第一部分和被布置为比第一部分更远离硅基板的光接收表面并且包含碳的第二部分。作为第二部分中的碳峰值浓度的第一峰值浓度不小于1×1018[原子/cm3]且不大于1×1020[原子/cm3]，并且作为第二部分中的氧峰值浓度的第二峰值浓度不小于第一峰值浓度的1/1000且不大于第一峰值浓度的1/10。
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公开(公告)号：CN106252367A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610407002.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。
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公开(公告)号：CN103107176A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210375335.2
申请日：2012-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 庄山敏弘
IPC: H01L27/146 , C23C16/30 , C23C16/44
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14627 , H01L27/14687 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了固态图像传感器及其制造方法以及照相机。具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法包括：使用六氯乙硅烷(Si2Cl6)作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成硅氮化物膜，使得所述硅氮化物膜覆盖所述光电转换部分的至少一部分。
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