公开(公告)号：CN106252367B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201610407002.1

申请日：2016-06-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 庄山敏弘 ,  高草木弘 ,  山崎康生 ,  石野英明 ,  小川俊之

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。

公开(公告)号：CN109860031A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811448155.6

申请日：2018-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石野英明 ,  荻野拓海

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及半导体装置和设备。半导体层包含开口，并且，在结构之间的接合表面中，在半导体层被层叠在一起的方向上的半导体层与开口之间的部分包含多个导体部分、和在与所述方向正交的方向上位于该多个导体部分之间的绝缘体部分。

公开(公告)号：CN117410296A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310847703.7

申请日：2023-07-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石野英明 ,  山口润 ,  丹下勉 ,  原拓也 ,  小林大祐

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及半导体装置。提供了其中堆叠有半导体层的半导体装置。第一结构布置在第一半导体层与第二半导体层之间。第二结构布置在第二半导体层与第三半导体层之间。在到第三半导体层的正投影中，第三半导体层中布置有元件的区域是第一区域，并且第一区域与第三半导体层的周边部之间的区域是第二区域。在第二区域中，布置有延伸通过第三半导体层、第二结构和第二半导体层并且暴露布置在第一结构中的电极的开口。在第一区域与开口之间，在与第二半导体层相同的高度处布置有绝缘体。

公开(公告)号：CN113540135A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110404326.0

申请日：2021-04-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 都甲宪二 ,  石野英明 ,  林良之

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了光电转换装置和装备。遮光部的上端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离长。遮光部的下端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离短。在包括遮光膜和遮光部的平面中，配设有由遮光部限定的开口和在遮光部与遮光膜之间的间隙，该间隙的宽度小于开口的宽度。

公开(公告)号：CN106252367A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610407002.1

申请日：2016-06-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 庄山敏弘 ,  高草木弘 ,  山崎康生 ,  石野英明 ,  小川俊之

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。