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公开(公告)号：CN102163611B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110039890.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和用于制造固态图像拾取装置的方法。公开了一种用于制造固态图像拾取装置的方法，该固态图像拾取装置包括配备有第一光电转换单元的第一有源区、配备有第二光电转换单元的第二有源区、以及与第一有源区和第二有源区邻接且配备有像素晶体管的第三有源区，其中场区位于第三有源区与第一有源区以及第二有源区之间，该方法包括以下步骤：离子注入第一导电类型杂质离子以在第三有源区中的预定深度处形成用作针对信号载流子的势垒的半导体区域，以及利用比上述离子注入能量低的能量来将第二导电类型杂质离子离子注入到第三有源区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1293605C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN03158586.8
申请日：2003-09-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 山崎康生
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: G03F7/70433 , G03F7/70466 , H01L27/14603
Abstract: 本发明提供减小对准误差的影响的半导体器件的制造方法。半导体器件10具有由分别含有多个相同图形的多个层构成的相同构造的多个元件。对于要在含有当在元件间归因于与别的布线之间的位置关系而产生的寄生电容的值方面存在着差别时就会给半导体器件10的动作造成实质性影响那样的布线的层12以前进行图形形成的层11、12，用一并曝光工艺进行图形形成。对在此以后进行图形形成的其它的所有的层13、14、15都用分割曝光进行图形形成。
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公开(公告)号：CN106252367B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201610407002.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。
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公开(公告)号：CN102163611A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039890.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和用于制造固态图像拾取装置的方法。公开了一种用于制造固态图像拾取装置的方法，该固态图像拾取装置包括配备有第一光电转换单元的第一有源区、配备有第二光电转换单元的第二有源区、以及与第一有源区和第二有源区邻接且配备有像素晶体管的第三有源区，其中场区位于第三有源区与第一有源区以及第二有源区之间，该方法包括以下步骤：离子注入第一导电类型杂质离子以在第三有源区中的预定深度处形成用作针对信号载流子的势垒的半导体区域，以及利用比上述离子注入能量低的能量来将第二导电类型杂质离子离子注入到第三有源区中。
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公开(公告)号：CN1494112A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03158586.8
申请日：2003-09-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 山崎康生
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: G03F7/70433 , G03F7/70466 , H01L27/14603
Abstract: 本发明提供减小对准误差的影响的半导体器件的制造方法。半导体器件10具有由分别含有多个相同图形的多个层构成的相同构造的多个元件。对于要在含有当在元件间归因于与别的布线之间的位置关系而产生的寄生电容的值方面存在着差别时就会给半导体器件10的动作造成实质性影响那样的布线的层12以前进行图形形成的层11、12，用成批曝光工艺进行图形形成。对在此以后进行图形形成的其它的所有的层13、14、15都用分割曝光进行图形形成。
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公开(公告)号：CN106252367A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610407002.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。
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